SanDisk公司和海力士半导体(Hynix)将合资采用每单元四比特x4闪存技术来开发并生产闪存和NAND存储系统。在此之前，双方日前已签订了一项有关闪存专利交叉授权协议，结束了长期的争端。但双方都没有透露关于此次合资项目的细节。
此次合作的资本将由SanDisk和海力士各出一半，生产则由海力士来进行。双方在x4技术上合作的起源，可以追溯到msystems公司和海力士的合作，而msystems公司后来被SanDisk在去年6月以13.5亿美元收购。
海力士高级副总裁O.C. Kwon说：“由于签订了专利交叉授权协议，双方可以将精力集中在x4技术上的合作开发上，而我们的合作是前途无量的。希望双方都能从中获益。”
SanDisk主席兼CEO Eli Harari也表示：“这个交叉授权协议解决了我们和海力士之间所有的IP（知识产权）争端，使我们双方都可以集中精力，实现收益最大化。”
海力士于3月20日和东芝签订了一份半导体交叉授权和供货协议，解决了双方关于DRAM和NAND技术的长期专利争端。尽管细节目前尚不可知，但有报道称海力士是通过给东芝支付一笔现金才解决了此问题。意法半导体一直是海力士的NAND伙伴，而且也陷入了与SanDisk之间的专利官司。
海力士与SanDisk结盟的意义
Objective Analysis的分析师Jim Handy专门对上述合作进行了分析，揭示了海力士与SanDisk结盟对于内存供应链中各家公司的意义。以下是其观点摘要：
海力士现在有两大劣势提高了其NAND成本结构：多层单元(MLC)技术出货量低，300毫米产量有限。与SanDisk合作可以为其带来宝贵的MLC技术经验，以及专门的产能(肯定是300毫米产能)，将帮助海力士把成本降到可与其它NAND供应商一拼的水平。
东芝一直是SanDisk的坚定伙伴，也是它迄今唯一的NAND工厂伙伴。我们认为海力士与SanDisk结盟不会威胁东芝所享有的有利地位，但现在面临的这种关于重要供应关系的竞争，将使东芝保持警惕。
海力士已经和意法半导体(ST)在中国无锡合建了一个NAND闪存工厂，预计即将开始生产4G和8G闪存设备。海力士已经和意法半导体(ST)在中国无锡合建了一个NAND闪存工厂，预计即将开始生产4Gb和8Gb闪存芯片。
同时，意法半导体正在采取措施分拆其闪存(NAND和NOR)业务。迄今为止，意法半导体的NAND业务规模很小，而且我们认为受到了海力士基于成本的转让价格的制约。如果这种关系保持下去，海力士的成本可能下降到意法半导体能够扩张该项业务并赚钱的程度，我们对此将拭目以待。
SanDisk可能浑水摸鱼，把形势转向对自己有利的局面。以前海力士是意法半导体的伙伴，而意法半导体与SanDisk之间有专利纠纷。海力士是msystems的重要供应商，而msystems承诺向海力士提供IP。这将使海力士获得IP，SanDisk得到另一个供应关系，类似于它与东芝之间的良好关系。意法半导体最终可能成为一个重要客户，这可能促使它们按对SanDisk比较有利的条件达成和解。
三星在NAND市场中占有独特的地位，部分原因在于该公司拥有雄厚的资源，可以独自出巨资发展300毫米产能。其它公司合力建设类似的设施，会削弱三星在该领域中的优势。由于三星是SanDisk的关键供应商，我们将观察三星在近期内是否会变成msystems x4r技术的被授权厂商。
英特尔、美光、IMFT和Lexar处于这种对其有害的关系之外。Lexar在与东芝和SanDisk的官司中大获全胜，并与三星之间建立了牢固的关系。英特尔和美光及其合资公司IM Flash Technologies，正在联合投资兴建大规模300毫米产能，从产能角度来看将是海力士联盟势均力敌的对手，但有传言称，仍有未解决的知识产权(IP)问题可能妨碍其推出MLC NAND，而且它们都没有宣布将来可以帮助其降低成本的x4技术的授权。
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