如今笔记本的软件容量是不断增大、版本也是在不断升级，在机器的性能就需要更强悍了。机器的性能是否强悍，在笔记本内存方面是有很大的影响的。 对于很多游戏玩家而言，他们一定都会对内存这个为CPU提供数据计算场所的PC重要部件的容量变化对游戏影响而深有体会。内存这个产
评测阅读: 教你看笔记本配置之内存篇(1)
如今笔记本的软件容量是不断增大、版本也是在不断升级，在机器的性能就需要更强悍了。机器的性能是否强悍，在笔记本内存方面是有很大的影响的。 对于很多游戏玩家而言，他们一定都会对内存这个为CPU提供数据计算场所的PC重要部件的容量变化对游戏影响而深有体会。内存这个产品长久以来一直受制于处理器和主板芯片组技术的发展，它除了容量的不断提高以外，更重要的在于要让内存为处理器提供足够宽的数据交换通道，也就是需要不断的提高内存的传输带宽来满足处理器的发展需要。
目前主要的内存颗粒厂商有现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、尔必达(ELPIDA) 、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等。而市面上许多品牌的内存条不外乎采用这几家厂商的内存颗粒加工而成。
1、工作原理
DRAM的内部是一个存储阵列，可以想象成一张表格，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column）后，系统就可以准确地找到内存阵列中的某个单元格的数据，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个存储阵列叫逻辑Bank（Logical Bank），一般内存都有4个或8个逻辑Bank。在内存的实际工作中，在某个逻辑Bank中查找与在逻辑bank的某行地址中查找的指令是同时发出的，这个命令称之为“行激活”（Row Active）。在此之后，将发送列地址寻址命令与读/写命令，这两个命令也是同时发出的，因此一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。业界规定把从“行有效”到“读/写命令”发出之间的延迟时间定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲）。列地址也被选中之后，就会准备开始数据传输，但数据从存储单元中输出到出现在内存芯片的I/O接口之间还有一段的时间，这段时间就是CL延迟（CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期）。CL的数值与tRCD一样，都是以时钟周期数表示的。如果接下来要读取的数据还是该bank同行中接着的数据，那么内存可以用一种叫做突发传输的方式工作，就是在选定行地址和列地址以后，如果是连续数据，那么可以不重新在该Bank中进行列选定，而直接传输当前行以后连续7列位置的数据（总共一次传输8列位置的数据）。而如果接下来的数据是同bank但是不同行位置的，那么就必须要先把当前行关闭，才能对其他行寻址。从开始关闭现有的工作行，到可以打开新的工作行之间的间隔就是tRP（Row Precharge command Period，行预充电有效周期），单位也是时钟周期数。上面的CL、tRCD、tRP这三个内存参数都是绝对性能参数，在任何时候任何平台下都应该是越小越好，调节的优先顺序是CL→tRCD→tRP。
2、内存种类
EDO：这种内存主要用于古老的MMX和486机型上面，也有部分厂家在PII的笔记本电脑中仍然使用EDO内存，这种EDO单条最高容量只有64M，而且由于EDO内存的工作电压为5V和现在常用的SDRAM的3.3V相比更费电一些，所以很快就被SDRAM内存所取代。
SDRAM：SDRAM是Intel提出的具有里程碑意义的内存技术。SDRAM的全称是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)，就象它的名字所表明的那样，这种RAM可以使所有的输入输出信号保持与系统时钟同步。由于SDRAM的带宽为64Bit，因此它只需要一条内存就可以工作，数据传输速度比EDO内存至少快了25％。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等几种规格。
DDR：顾名思义Double Data Rate(双倍数据传输)的SDRAM。随着台式机DDR内存的推出，现在笔记本电脑也步入了DDR时代，有DDR266、DDR333和DDR400等规格，在Pentium4-M、Pentium-M等时期都是采用DDR内存，也有少量的Pentium3-M的机器早早跨入DDR时代。其实DDR的原理并不复杂，它让原来一个脉冲读取一次资料的SDRAM可以在一个脉冲之内读取两次资料，也就是脉冲的上升缘和下降缘通道都利用上，因此DDR本质上也就是SDRAM。相对于EDO和SDRAM，DDR内存更加省电（工作电压仅为2.25V）、单条容量更加大（已经可以达到1GB）。
DDR2：DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
评测阅读: 教你看笔记本配置之内存篇(2)
3、内存接口
接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。对应于内存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。
列直插内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双列直插内存模块（Dual Inline Memory Module，DIMM）来替代单个内存芯片。早期的EDO和SDRAM内存，使用过SIMM和DIMM两种插槽，但从SDRAM开始，就以DIMM插槽为主。为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。而在一些轻薄笔记本内，还有些机型使用与普通机型不同的Micro DIMM接口内存。
4、DDR2与DDR的区别：
延迟：
虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
封装：
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，当工作频率超过200MHz之后，频率越高，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
功耗：
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量。
DDR2采用的新技术：
DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。
| DDR2规格 | 传输标准 | 核心频率 | 总线频率 | 等效传输频率 | 数据传输率 |
| DDR2 400 | PC2 3200 | 100MHz | 200MHz | 400MHz | 3200MB/s |
| DDR2 533 | PC2 4300 | 133MHz | 266MHz | 533MHz | 4300MB/s |
| DDR2 667 | PC2 5300 | 166MHz | 333MHz | 667MHz | 5300MB/s |
| DDR2 800 | PC2 6400 | 200MHz | 400MHz | 800MHz | 6400MB/s |
由于DDR2内存的功耗更低（工作电压仅为1.8V），提升频率空间更大，虽然在延迟相比DDR要高一些，不过还是受到众多厂商的青睐。迅驰二代后期，DDR2开始逐渐的普及起来，到目前为止，市面上主流的笔记本产品都已经采用了DDR2内存，但由于仍有大量采用DDR内存的机型正在使用，所以还有不少厂商推出DDR内存。
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