据外媒称，三星电子在旧金山于2月22-26日举办的国际固态电路会议上展示了全球首见的10纳米FinFET半导体制程，有望率先制造出10纳米芯片组
据VR-Zone引述ZDNet Korea的报导称，三星电子在2月22-26日于旧金山举办的国际固态电路会议（International Solid State Circuit Conference，ISSCC）上展示了全球首见的10纳米FinFET半导体制程，业内人士纷纷表示三星有望抢在英特尔之前制造出第一款10纳米移动芯片组。
三星于ISSCC展示10nm FinFET技术
三星电子半导体事业部总裁 Kim Ki-nam 在展场中表示，采用10纳米FinFET制程技术的芯片不但更加省电、体积也更小，是物联网（IoT）演化进程中相当重要的一步。除了 10纳米制程技术之外，Kim也谈论了10纳米的DRAM与3D V-NAND科技。
三星Exynos 7系列处理器采用20纳米制程
根据报导，目前还无法确定消费性电子产品何时才会导入这种最新的半导体制程技术，也许要到2017年才有可能。作为韩国高科技巨头，三星在半导体制造方面已经非常超前，目前仅有三星一家可以正式大规模量产14nm FinFET 工艺的移动设备芯片。三星在 ISSCC会议上的主题演讲更令人意外——据三星发言，该公司还将继续推进至5nm工艺制程，因为他们认为“根本没有困难”，而且进一步微细化也有可能很快实现。
编者评论：三星在开发制程技术的速度令人惊叹，在数月前开始为移动市场研发的14纳米FinFET系统单芯片（SoC），即将在MWC2015展会上发布的Galaxy S6上首秀，甚至都有传言苹果A9处理器也将采用三星的制程技术。
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