高通今天在其官方微博中表示，将在CES 2017中公布全新骁龙835处理器的详细规格。
【PChome 手机频道资讯报道】高通今日在其官方微博中宣布，将于CES 2017期间，公布骁龙835处理器的详细规格，此前高通方面已经宣布，这款处理器将使用三星10nm工艺制造。
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
新的骁龙835处理器，将支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。
可以肯定的是，三星Galaxy S8几乎肯定会使用骁龙835，这款处理器也肯定是2017年高端手机的主流配置。
另外，此前一款搭载骁龙835处理器的原型机已经遭曝，其安兔兔评测跑分成绩高达18万分，其无疑是性能最高的手机处理器了。
网友评论