“XDR DRAM”是 Rambus 公司所提出的新一代内存规格，原称“Yellowstone”，是承继该公司先前 Rambus DRAM 设计路线的高速序列传输内存，运作速度为 2.4～6.4Gtps（Gtps：十亿次传输／秒），在使用 64 位宽度的总线下，可达 19.2～51.2GBps 的内存频宽，比目前主流的双信道 DDR400 内存理论频宽高出 3～8 倍之多。
根据日本 PC Watch 网站专栏作家 后藤弘茂 的报导，预备投产 Rambus 公司新型内存“XDR DRAM”的三家厂商 东芝、三星 与 Elpida，于去年《Rambus 开发者论坛》所发表的量产计划中，原本是预定以单颗 512Mbit 的 XDR 内存芯片作为首波量产的规格，但今年所发表的新蓝图中，却改为以 256Mbit 的芯片作为首波量产。
由于 Sony 发表将采用 XDR DRAM 作为 PS3 的内存，除外尚无其它大规模需求的市场，故一般认定 XDR DRAM 的量产计划一开始将以供应 PS3 所需为主要考量，所以该报导推测此次 XDR DRAM 量产计划的变更，反映了 PS3 内存系统规格的变动
该报导表示，先前来自业界的消息指出，PS3 原定采用 4 颗 3.2Gtps 512Mbit XDR DRAM 内存芯片，构成 64bit 宽度，频宽 25.6GBps，容量 256MB 的主存储器系统，如今 256Mbit XDR DRAM 内存取代了 512Mbit 提前量产，代表了 PS3 的主存储器系统将可能有以下两种变化：
芯片类型 |
芯片数目 |
总线宽度 |
频宽 |
容量 |
成本 |
|
方案一 |
256Mbit |
4 |
64bit |
25.6GBps |
128MB |
低 |
方案二 |
256Mbit |
8 |
128bit |
51.2GBps |
256MB |
高 |
原方案 |
512Mbit |
4 |
64bit |
25.6GBps |
256MB |
中 |
由于东芝今年与去年所发表的 XDR DRAM 内存潜在市场预估报表并无显著变化，表示东芝预期 XDR DRAM 的市场并不因为 256Mbit 内存芯片的抢先投产而有所减少，且 128MB 内存对于下一个世代的游乐器来说，前瞻性过低，故后藤弘茂推测总容量不变的“方案二”可能性较大，也就是说 PS3 的内存频宽将较原先所预估大一倍，而达到 51.2GBps 之多，附带一提，目前已发表的 PC 显示卡中内存频宽最高为 ATi X800 XT 的 35.8GBps。
同时该报导也由三内存厂商皆于 2005 年年中开始大规模量产 XDR DRAM 的时程，推测 PS3 也将于 2005 年年中量产，正式上市时间可能为 2005 年下半年到 2006 年上半年。
来自日本方面的速报表示，Sony 于今日（7 月 12 日）下午的、《PlayStation Meeting 2004》中，宣布“下一代系统（Next System，本文暂称 PS3）”将于今年内正式发表，并预定于明年 E3 展出，究竟这些规格与上市时间的传闻是否确实，答案很快就会揭晓，有兴趣的玩家不妨注意相关报导。
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