登上存储铁王座 三星开始大规模生产第二代10nm DDR4内存

互联网 | 编辑: 顾亦飞 2017-12-25 11:55:37编译

目前,三星电子正在闪存市场上加强其主导地位,开始大规模生产第二代10nm工艺、8GB DDR4内存芯片。而根据三星官方发布的消息,新一代8GB DDR4内存性能将有非常大的提升。

【PChome整机频道资讯报道】还记得2016年2月的第一代10nm工艺内存吗?它似乎将要成为三星最短命的一代内存产品。目前三星电子正在闪存市场上加强其主导地位,开始大规模生产第二代10nm工艺、8GB DDR4内存芯片。不到两年时间,三星又要在存储工艺上再迈进一步,继续扩张自己在存储领域的市场。前段时间遭发改委约谈的三星,现在似乎依旧想走存储霸主的道路。

根据三星发布的消息,新一代8GB DDR4内存将专门支持下一代主板,“最高效的性能和最节能的功耗,新一代8GB DRAM还将拥有最小的体积。“与它的前辈相比,新一代10nm内存的速度快了约30%,能耗减少了10%到15%。之前第一代10nm的DDR4内存拥有每秒3200 Mbps的运行速度,下一代内存运行速度将会是每秒3600兆。

三星得益于目前芯片大批量生产所具有的优势,他们已经可以预见并加速推出下一代DRAM芯片和用于企业服务器和超级计算机的系统,同时还能为移动设备和HPC系统提供支持。 据悉,下面三星将加速推进的内存规格有:DDR5、LPDDR5、HBM3和GDDR6。

相关阅读

每日精选

点击查看更多

首页 手机 数码相机 笔记本 游戏 DIY硬件 硬件外设 办公中心 数字家电 平板电脑