镁光发布单片12Gb LPDDR4X-4266内存

PChome | 编辑: 单亚凯 2018-11-08 09:56:36原创

11月7日消息,美光宣布推出旗下首款面向移动设备的单片12Gb(1.5GB)LPDDR4X低电压动态随机存储器芯片,速度为4266 Mb/s。相较第一代LPDDR4X-4266内存,第二代产品的功耗下降了10%,为提升效率和降低能耗,该内存颗粒采用10nm工艺生产。

【PChome存储频道资讯报道】随着智能移动终端设备的普及,及影响子系统和人工智能等工作负载的增加,应用程序和网络连接将对内存的要求越来越高,高频率、大容量的LPDDR4X内存将成为主流。今年10月正式公布的海思麒麟980芯片率先支持了LPDDR4X-2133内存。LPDDR4X内存是由三星等厂商率先推出的,主要是将LPDDR4内存中的Vddq电压从1.1V降至0.6V,Vdd2电压保持1.1V不变。相对于LPDDR4来说,LPDDR4X的电压更低,有效降低了内存能耗。

11月7日消息,美光宣布推出旗下首款面向移动设备的单片12Gb(1.5GB)LPDDR4X低电压动态随机存储器芯片,速度为4266 Mb/s。相较第一代LPDDR4X-4266内存,第二代产品的功耗下降了10%,为提升效率和降低能耗,该内存颗粒采用10nm工艺生产。

同时,单片提升到1.5GB后,可以为厂商部署6GB/12GB节省空间。今年7月份,三星率先发布了16Gb容量的LPDDR4X-4266内存,同样是基于先进的10nm级工艺。

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