国产长鑫DDR4内存上市 单条8GB 2666Mbps

PChome | 编辑: 单亚凯 2020-02-26 11:07:26原创

日前,长鑫存储在官方网站上列出了首款国产DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片及DDR4模组的详细规格,均符合国际通用标准,目前已开始接受相关产品的技术和销售咨询。

在半导体和存储行业,长久以来都是日韩美企占据着主导地位,从芯片、到SSD,我们都期待着国产厂商能够有所突破。DRAM (动态随机存取存储)产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、人工智能、虚拟现实和物联网等领域,市场需求巨大并持续增长。日前,由长鑫出品的DDR4内存正式宣布上市。

长鑫存储在官方网站上列出了首款国产DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片及DDR4模组,均符合国际通行标准规范。长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求,支持多领域应用、多产品组合。规格方面单颗容量8Gb,频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。

长鑫DDR4内存条由其自主开发设计,搭载原厂颗粒,提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型,容量均为单条8GB,频率2666MHz,电压1.2V,时序未知,工作温度0℃至95℃。LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求,兼备高速度与低功耗,可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验,规格方面单颗容量2GB、4GB,频率3733MHz,电压1.8V、1.1V、0.6V,工作温度-30℃至85℃,200ball FBGA封装。

DDR4内存模组是目前内存市场上的主流产品,相较于DDR3模组,性能和带宽显著提升,可用于个人电脑和服务器等传统市场,以及人工智能和物联网等新兴市场长鑫特别强调,这是第一颗国产DDR4内存芯片,这些芯片都采用国产1x nm工艺制造,预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。目前,长鑫已开始接受DDR4产品的技术和销售咨询。

关于长鑫存储:

长鑫存储2016年5月在安徽合肥成立,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,专业从事动态随机存取存储芯片 (DRAM) 的研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。

2019年底,长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可,而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。彼时已经有消息称长鑫存储已经开始使用19nm制造技术生产DDR4内存。

此外,为了提升产量,长鑫还计划建造另外两座晶圆厂,并且已经制定了至少两个10nm级制造工艺的路线图,并在未来进一步扩大DRAM生产线。

(文中图片来自长鑫存储官网)

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