日前，长鑫存储在官方网站上列出了首款国产DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片及DDR4模组的详细规格，均符合国际通用标准，目前已开始接受相关产品的技术和销售咨询。
在半导体和存储行业，长久以来都是日韩美企占据着主导地位，从芯片、到SSD，我们都期待着国产厂商能够有所突破。DRAM （动态随机存取存储）产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、人工智能、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。日前，由长鑫出品的DDR4内存正式宣布上市。
长鑫存储在官方网站上列出了首款国产DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片及DDR4模组，均符合国际通行标准规范。长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合。规格方面单颗容量8Gb，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA两种封装样式。
长鑫DDR4内存条由其自主开发设计，搭载原厂颗粒，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型，容量均为单条8GB，频率2666MHz，电压1.2V，时序未知，工作温度0℃至95℃。LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2GB、4GB，频率3733MHz，电压1.8V、1.1V、0.6V，工作温度-30℃至85℃，200ball FBGA封装。
DDR4内存模组是目前内存市场上的主流产品，相较于DDR3模组，性能和带宽显著提升，可用于个人电脑和服务器等传统市场，以及人工智能和物联网等新兴市场。长鑫特别强调，这是第一颗国产DDR4内存芯片，这些芯片都采用国产1x nm工艺制造，预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。目前，长鑫已开始接受DDR4产品的技术和销售咨询。
关于长鑫存储：
长鑫存储2016年5月在安徽合肥成立，总投资1500亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，专业从事动态随机存取存储芯片 (DRAM) 的研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。
2019年底，长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可，而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。彼时已经有消息称长鑫存储已经开始使用19nm制造技术生产DDR4内存。
此外，为了提升产量，长鑫还计划建造另外两座晶圆厂，并且已经制定了至少两个10nm级制造工艺的路线图，并在未来进一步扩大DRAM生产线。
（文中图片来自长鑫存储官网）
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