今日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存（对比范围为截至2020年4月13日，全球已公开发布的3D NAND Flash存储芯片），长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。
得益于Xtacking 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化，长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现，上市之后广受好评。在长江存储128层系列产品中，Xtacking已全面升级至2.0，进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率，为当前业界最高。
作为闪存行业的新人，长江存储通过对技术创新的持续投入，用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量，长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking架构的前瞻性和成熟度，并确立了在存储行业的技术创新领导力。
（文中图片来自网络）
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