国产55nm NOR闪存量产:寿命不低于10万次

互联网 | 编辑: 小蛀牙 2021-04-22 14:48:18转载

薛霆表示,“兆易创新的Flash目前全部产品线都已经过渡到55nm新工艺,我们已经推出了一系列从最小容量512Kbit到最大容量2Gbit的全系列的SPI NOR Flash。我们是全球第一家把SPI NAND Flash推向世界而且量产的公司。”

虽然国产NAND闪存在不断的取得突破,但是在与国内其他闪存相比的话还是落后的。但是国内的NOR闪存实力是非常的强大的,兆易创新是全球第一大NOR闪存供应商。而且近日兆易创新事业部市场经理透露了NOR闪存的最新进展及未来发展情况。

薛霆表示,“兆易创新的Flash目前全部产品线都已经过渡到55nm新工艺,我们已经推出了一系列从最小容量512Kbit到最大容量2Gbit的全系列的SPI NOR Flash。我们是全球第一家把SPI NAND Flash推向世界而且量产的公司。”

薛霆提到,兆易创新“3年前就开始推动55nm工艺研发,经过3千片以上wafer的磨合,把55nm做到了可以大规模量产。

目前兆易创新55nm的产品第一,工艺上更先进,每一颗的体积更小,功耗上也比65nm降低了30%左右。从功耗到面积都带来了更多的节省,给客户也带来了更有性价比的产品。

NOR闪存除了PC、笔记本、服务器要用之外,5G基站、路由、汽车、机顶盒、TWS无线耳机等产品也要用,这些市场对闪存的可靠性要求极高。

薛霆提到,比如5G基站中,往往需要至少10万次擦写,20年的数据保证时间,这些也正好是兆易创新擅长的。

去年7月份,兆易创新宣布推出国内首款容量高达2Gb、高性能SPI NOR Flash——GD25/GD55 B/T/X系列产品,该系列可提供512Mb至2Gb的不同容量选择,支持高速4通道以及兼容JEDEC xSPI和Xccela规格的高速8通道,主要面向需要大容量存储、高可靠性与超高速数据吞吐量的工业、车载、AI以及5G等相关应用领域。

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