三星推出了全新的UFS 4.0闪存，它使用三星的Gen 7 V-NAND存储和专有控制器，顺序读取速度高达4200 MB/s，顺序写入速度高达2800MB/s，将在三季度开始量产。
【PChome手机频道报道】智能手机的存储规格已经很长时间没有进行更新了，如今最顶级的UFS 3.1闪存已经开始在2500元机型中大规模使用了，UFS 3.0闪存的使用更是司空见惯。显然，手机市场需要更高规格的存储，用户也需要更快的存储速度和更大的存储空间。
在本周二，三星推出了全新的UFS 4.0闪存，它使用三星的Gen 7 V-NAND存储和专有控制器，顺序读取速度高达4200 MB/s，顺序写入速度高达2800MB/s，比目前最顶级的UFS 3.1闪存规格强了一大截。同时与上一代相比，UFS 4.0闪存在顺序读取速度方面还能有着46%的能效提升。
UFS 4.0闪存所使用的新存储技术，可以更轻松的支持1TB的大存储，有助于大存储空间手机的推进，预计512GB和1TB容量的智能手机产品会更为普及。
三星方面表示，UFS 4.0闪存的大带宽非常适合需要大量数据处理的5G 智能手机使用，并希望看到该技术在VR、AR和汽车中得到采用。
三星预计UFS 4.0闪存的大规模量产将在第三季度开始，在年底发布的新款旗舰机型有望搭载这种新闪存。将在2023年推出的Galaxy S23 Ultra，也很可能会搭载这种新闪存。
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