三星在三星技术日上带来了内存和存储技术上的新进展。
近日，三星电子举办了2022年三星技术日，在内存和储存方面都带来了全新的产品和技术发布，以及未来的技术路线信息。
在内存技术方面，三星表示，三星的1b级DRAM目前正在开发中，计划在2023年进行大规模生产。为了克服DRAM扩展到10纳米范围以外的挑战，该公司一直在开发图案化、材料和架构方面的颠覆性解决方案，例如High-K材料的应用等正在顺利推进。
同时三星介绍了即将推出的DRAM解决方案，例如32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM，它们将为数据中心、HPC、移动、游戏和汽车市场领域带来新的功能。三星电子还带来了一个有趣的数据，那就是三星电子在过去40年中一共生产了1万亿GB容量的内存芯片，是一个相当恐怖的数字。
随后，在储存方面，三星也带来了全新的支持PCIe 5.0的SSD产品，名为PM9C1a。这是一款新的无DRAM固态硬盘，它将同时支持PCIe 4.0和5.0标准，但三星暂未公布其他详细信息，猜测有可能将是此前流出的990 Pro SSD的PCIe 5.0版本。而在技术方面，三星表示其第九代V-NAND正在开发中，计划于2024年量产。到2030年，三星设想NAND堆叠超过1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。
（图片来源于互联网）
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