台积电将于12月29日在中国台湾的台南科学园Fab18举行3nm制程节点的量产仪式，以消除外界对于其3nm工艺落后于时间表的疑虑。
此前，台积电已经多次延期3nm制程量产时间，此前消息称将在四季度宣布量产。据台媒最新消息表明，台积电将于12月29日在中国台湾的台南科学园Fab18举行3nm制程节点的量产仪式，期间还会有新工厂扩建的典礼，以消除外界对于其3nm工艺落后于时间表的疑虑。
由于此前台积电3nm制程已经多次延期，加之三星此前已经高调宣布率先量产3nm，台积电此举显然是为了缓解外界对于台积电的各种猜测与误解。此前，台积电首席执行官魏哲家在2022年第三季度财报电话会议上表示，尽管库存调整持续，但N3和N3E的客户参与度很高，第一年和第二年的流片数量是N5的两倍以上，目前正在与工作供应商密切合作，以准备更多的产能，应付2023年和2024年及之后的强劲需求。
除年内量产N3制程外，台积电预计明年将陆续推出N3E、N3P、N3X等制程，后续还会有优化后的N3S制程，可涵盖智能手机、物联网、车用芯片、HPC等不同平台的使用需求。台积电在N3制程节点仍使用FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，但后续将会引入FINFLEX技术，扩展了工艺的性能、功率和密度范围，允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项，进一步提升PPA（功率、性能、面积）。
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