美光宣布，推出全新的16Gb DDR5内存，速率可达7200MT/s，使用最新的1β（1-beta）工艺节点生产。
美光宣布，推出全新的16Gb DDR5内存，速率可达7200MT/s。美光表示DRAM使用最新的1β（1-beta）工艺节点生产，采用了high-k CMOS器件技术，相比上一代产品，性能提升了50%，每瓦性能提高了33%，现已交付给所有数据中心和PC客户。
美光去年末已经宣布推出了1β工艺节点，无论性能、位密度还是电源效率上都有显著的收益，而且还能降低DRAM成本，将带来广泛的市场优势。基于1β工艺节点打造的DDR5内存覆盖了4800MT/s至7200MT/s的范围，允许将计算能力推向更高的性能水平，支持跨数据中心和客户端平台的人工智能（AI）训练和推理、生成式人工智能、数据分析和内存数据库（IMDB）等应用。
美光核心计算设计工程集团公司副总裁Brian Callaway表示，采用1β工艺节点的DDR5内存进入大批量生产及应用是行业内的一个重要里程碑，与生态系统合作伙伴及客户合作将推动高性能内存更快地被采用。美光将会有多款产品采用1β工艺节点，除了DDR5外，还包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。美光计划继续投资数十亿美元，将晶圆厂转变为技术领先、高度自动化、可持续发展、以及人工智能驱动的设施，其中包括对日本广岛工厂的投资。据了解，这间工厂将采用1β工艺节点批量生产DRAM。
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