长江存储QLC闪存擦写寿命已达四千次 看齐TLC产品

PChome | 编辑: 刘灿 2024-03-30 05:00:00原创

长江存储在展示当中表示,采用第三代Xtacking晶栈架构的X3-6070 QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命,表现看齐TIC产品。

在刚刚结束的中国闪存市场峰会CFMS 2024上,长江存储作为国产存储市场头部厂商也进行了展示,包含新SSD产品以及闪存等。长江存储在展示当中表示,采用第三代Xtacking晶栈架构的X3-6070 QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命,而一般的消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍拥有3000次P/E级别的擦写寿命,这意味着长江存储的QLC产品寿命已经超过了一般的TLC产品。

长江存储CTO霍宗亮表示,目前NAND闪存行业已度过了最艰难的2023年,今年将进入上升期,预计2023~2027年的闪存需求总量复合增长率可达21%,单台设备平均容量的复合增长率为20%。在这个上升周期中,存储市场面临的三大新挑战是每Gb成本快速降低、读写性能加速提升和满足多样化需求,客户期待的是以同样的价格获得更高密度的存储。

而在密度提升方面,3D NAND的堆叠层数提升成为业界新问题,因此有必要推动QLC NAND的应用。根据市场预测,到2027年QLC占比有望超过40%,大幅高于去年的13%。长江存储表示,其采用第三代Xtacking技术的X3-6070 QLC闪存相较上代产品IO速度提升50%、存储密度提高70%、擦写寿命达4000次P/E。这意味着长江存储的QLC技术已开发成熟,可向企业级存储、移动端等领域扩展。忆恒创源就在此次峰会上展示了基于长存QLC闪存的PBlaze77340系列数据中心级固态硬盘。

在技术细节方面,Xtacking结构将CMOS电路同闪存阵列分离的设计对操作算法带来了更大灵活性,从而提升了QLC的可靠性。此外第三代Xtacking技术可实现更灵活的电压调制,读取窗口裕度得到了提升。

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