AMD新一代APU工程样品现身、FSR 4.1扩大兼容范围，技嘉Z990系列主板曝光、影驰推出双电源接口RTX 5080显卡。存储领域，美光放弃4F2 DRAM路线，也为内存技术的演进方向带来了新讨论。
【PChome PC鲜辣报20261026期】上周，硬件行业值得关注的消息既有下一代平台的新品线索，也有现有产品的技术更新。AMD新一代APU工程样品现身、FSR 4.1扩大兼容范围，技嘉Z990系列主板曝光以及影驰推出双电源接口RTX 5080显卡。存储领域，美光放弃4F2 DRAM路线，也为内存技术的演进方向带来了新讨论。
·AMD Zen 6 APU工程样品现身，24GB内存引发掌机关注
近日，AMD一款尚未发布的APU工程样品出现在OpenBenchmarking测试记录中，引发了外界对下一代游戏掌机处理器的关注。Tom’s Hardware报道称，这颗芯片可能属于传闻中的Gainsborough系列，采用6核12线程设计，记录中的CPU运行频率为2.4GHz，并搭配24GB LPDDR5内存，内存速率为9600 MT/s。
由于Valve现有Steam Deck采用AMD定制APU，因此这颗芯片很可能会用于未来的Steam Deck或其他游戏掌机。对于游戏掌机而言，处理器的能效、集成GPU性能、内存带宽与容量，以及整机散热和功耗控制，都会直接影响实际游戏表现。24GB内存的配置线索，也让外界开始关注下一代掌机是否会进一步提升系统资源上限。
鲜辣酷评：在当下存储上涨的行情下，24GB内存确实吸睛，但掌机的性能、帧率和成本之间的平衡是门艺术。
另外一条关于AMD的消息也值得关注。AMD于10月20日宣布扩大FSR Upscaling 4.1的支持范围，并通过Adrenalin Edition 26.10.1驱动为Radeon RX 6000系列显卡带来支持。此前，FSR 4最初面向RX 9000系列，随后扩展至RX 7000系列，此次更新进一步覆盖较早一代的RDNA 2显卡。
FSR 4.1还覆盖部分Ryzen AI Max、Ryzen AI 9系列处理器，以及搭载指定Ryzen Z2系列处理器的游戏掌机；Xbox Series X|S也在支持计划中。
AMD同时表示，FSR 4.1帧生成的性能也得到了改进，后续还将扩展Vulkan支持及光线重建功能。
鲜辣酷评：新卡卖性能，老卡靠软件续命，AMD不愧是“战未来”的代言人！
·技嘉Z990主板阵容曝光，剑指Intel下一代桌面平台
据VideoCardz报道，技嘉在欧亚经济联盟数据库中登记了多达数十款Z990主板型号名称，显示出技嘉为下一代Intel Nova Lake-S桌面平台准备了相当丰富的产品阵容。
从产品名单来看，覆盖AORUS XTREME、MASTER、PRO、ELITE、STEALTH，以及面向不同用户群体的EAGLE、DS3H等产品线，同时出现AERO WOOD、AERO DARK WOOD等设计版本。规格形态也很丰富，包括标准ATX、Mini-ITX和Micro-ATX产品。Z990预计采用LGA1954插槽。
鲜辣酷评：主板厂商已经开始为下一代平台排兵布阵，Nova Lake你可不要再延期了！
·影驰发布RTX 5080 HOF Extreme，双供电接口
影驰宣布推出GeForce RTX 5080 HOF Extreme（名人堂Extreme）显卡，最引人注目的设计是配备两个12V-2×6电源接口，这也是首款采用双接口布局的RTX 5080产品。不过，这两个接口并不是要求用户同时连接的双路供电方案，而是为走线提供不同选择：用户可根据机箱布局选择其中一个接口，另一个则可用附带的磁吸盖板遮挡。
在规格方面，该卡采用16GB GDDR7显存、256-bit显存位宽，显存速率为30Gbps，显存带宽为960GB/s。OC模式下整卡功耗上限为400W，Gaming 模式为360W，对应最高加速频率分别为2805MHz和2655MHz。供电部分采用20+4相设计，散热系统则配备三把102mm风扇和一把92mm风扇，并使用大面积均热板与多根热管。
此外，产品还加入施华洛世奇水晶装饰，延续HOF系列偏向高端收藏与个性化装机的定位。据悉，该卡在中国市场的售价为19999元，折合约3000美元，其他地区的供货情况尚未确认。
鲜辣酷评：双接口解决走线，水晶负责吸睛；旗舰显卡很精致也很硬核。
·美光放弃4F2 DRAM路线，内存密度提升技术转向
DRAM存储单元的微缩路线出现新的变化。据悉，美光决定不再推进4F2 DRAM架构的后续采用计划。该技术长期被视为提升内存密度的潜在路径之一。按照理论计算，在相同特征尺寸下，4F2单元的占地面积比传统6F2单元减少约三分之一，有望提高单位面积内的存储单元数量。
不过，理论上的单元面积优势，并不意味着整颗DRAM芯片能够实现相同比例的密度提升。美光CTO Scott DeBoer指出，存储电容的尺寸与间距同样决定了实际密度，单纯缩小晶体管占地面积，并不能保证存储单元整体尺寸同步缩小。与此同时，4F2架构还面临额外制造步骤、工艺复杂度和成本增加等问题。综合评估后，美光认为，这一路线的潜在收益不足以抵消相关代价。
在后续规划上，美光将继续推进传统6F2 DRAM的工艺微缩，通过缩小电容间距、改进材料、采用先进光刻技术及晶圆键合等手段提高位密度。公司预计，其1δ制程将在2027年下半年进入量产，位密度较前一代提升约20%至30%。
不过，美光放弃该路线不代表整个行业都将如此。有报道指出，三星和SK海力士仍据称保留4F2 DRAM 相关规划。这也说明，内存技术竞争并不存在唯一的演进路径，不同厂商仍在权衡工艺复杂度、成本与密度收益。
鲜辣酷评：芯片制造没有捷径，理论上省下三分之一面积，不等于工厂里真能省下三分之一成本。
（图片来源于网络，部分图片使用AI辅助生成）
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