IBM开发出了芯片堆叠技术，来提高多内核芯片中各个内核处理器之间的数据传送速度。IBM将两个芯片上下堆叠而非并排放置，两者之间的距离只有几微米。而且是被硅填充，里边是金属导线。这一技术被称为“硅贯通电极”，可缩短电讯号传递距离。IBM使芯片布局从传统的2D排列发展至更先进的3D堆叠，这样的芯片封装尺寸显著减小，并能加速数据在芯片间的传输。芯片间的数据传输距离缩短了1000倍，信息传输管线则增加了100多倍，而且也更省电。在未来3，5年内，硅贯通电极将用于直接连接内存与处理器，IBM还希望将其用于蓝色基因超级计算机中。IBMIBM初期将把堆叠技术应用于无线局域网和手机中的功率放大器，于2007年下半年生产样本，2008年量产。
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