每年一度在台北举行的Taipei Computex展会历来都是全世界关注的焦点,全球第二大科技展会的号召力吸引了众多厂商,在展会上不遗余力的展示各自最前沿最顶尖的产品。今年的Computex展会上,次世代的DDR3可谓内存大出风头,几大内存厂商展示的DD3内存产品吸引了众多关注的目光,威刚科技A-DATA发布的DDR3内存产品格外显眼,向人们展示了新一代内存尖端、卓越的性能品质。
威刚本届展会上展示了多款DDR3产品,除去年率先业界首发的DDR3 1066外,威刚还推出了DDR3 1333、DDR3 1450以及最顶尖的DDR3 1600内存。目前这些DDR3内存已推出了1GB和2GB版本,未来根据市场需求还将推出4GB或更高容量版本。威刚DDR3内存严格按照JEDEC 规范设计制造,采用240针脚设计,加入了数据同步设计(Data Synchronization)核心电压1.5+/-0.1V,使DDR3内存不但拥有更高的工作频率,而且比DDR2可节省30%功耗,凸现DDR3内存的稳定性及超频性能。
DDR3除了拥有更高的内存带宽外,在延迟值方面也是有提升的。不少用户均被CAS延迟值数值所误导,认为DDR3内存的延迟表现将不及DDR2。但相关专家指出这是完全错误的观念,要计算整个内存模块的延迟值,还需要把内存颗粒的工作频率计算在内。例如JEDEC规定DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的CL6-6-6,其内存延迟时间均为15ns。目前DDR3 1066、DDR3 1333和DDR3 1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9,把内存颗粒工作频率计算在内,其内存模块的延迟值应为13.125ns、12ns及11.25ns,相比DDR2内存模块提升了约25%,可见DDR3相比DD2内存性能上的优越。
虽然DDR3相对于DDR2内存并不是全面换代的新构架,不过要达成高阶的带宽与工作频率,DDR3增加不少的新技术和特性:
DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,可通过A12地址线来控制这一突发模式,比4bit的DDR2更加灵活;重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚,使DDR3的初始化处理变得简单,当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约功耗; DDR3新增的ZQ校准功能可自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值,进行重新校准;在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,有效地提高系统数据总线的信噪等级;此外DDR3的 点对点连接(Point-to-Point,P2P)也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
DDR3的工作效能比现在主流的DDR2内存拥有更多优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多。纵观市场,目前DDR3的需求还非常少,较高的生产成本使DDR3近期无法取代DDR2内存,不过拥有更加性能的DDR3取代DDR2必然是现代计算机高速更新换代的大势所趋,目前Intel、AMD以及各大主板厂商已经推出了相应的DDR3版产品,DDR3的未来指日可待。
从DDR时代开始,威刚率先同业推出前瞻产品,始终站在市场最前沿是威刚不变的追求,从DDR500/600,到DDR2 533/667/800,几乎每一次威刚率先推出的新产品,都成为市场上炙手可热的产品,显示出威刚科技作为全球顶级内存厂商,在产品研发、设计和生产制造上领先的实力。内存产品每一阶段的步进,威刚都以领先的设计生产能力成为推动者和领导者,未来威刚还将为用户提供包括DDR3内存等更多卓越的存储产品。
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