东芝日前发布了全新设计的NAND闪存产品,这一全新的闪存采用了新的结构,叫做新型三维存储单元阵列技术。采用这种技术,主要是为了实现NAND闪存的大容量化。
和普通的NAND闪存的层叠是构造相比,这种新型闪存采用了在闪存芯片垂直位置打孔,贯穿整个芯片,然后加入硅电极。通过硅电极周围产生的氮化硅膜进行的数据的保存。据称新型NAND闪存的容量可以达到10倍现在产品的水平。
东芝日前发布了全新设计的NAND闪存产品,这一全新的闪存采用了新的结构,叫做新型三维存储单元阵列技术。采用这种技术,主要是为了实现NAND闪存的大容量化。
和普通的NAND闪存的层叠是构造相比,这种新型闪存采用了在闪存芯片垂直位置打孔,贯穿整个芯片,然后加入硅电极。通过硅电极周围产生的氮化硅膜进行的数据的保存。据称新型NAND闪存的容量可以达到10倍现在产品的水平。
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