IBM等公司开发相变存储技术

互联网 | 编辑: 2005-05-24 00:00:00转载

德国的芯片制造商英飞凌科技公司周一宣称,它们将联合IBM以及台湾地区的旺宏电子(Macronix Internat ional)公司,开发一种名为相变存储(PCM:phase-change memory)的新型电脑存储技术。

    德国的芯片制造商英飞凌科技公司周一宣称,它们将联合IBM以及台湾地区的旺宏电子(Macronix Internat ional)公司,开发一种名为相变存储(PCM:phase-change memory)的新型电脑存储技术。

    据悉,这项新型存储技术的研发工作将在IBM公司位于纽约州的TJ Watson研究中心和加利福尼亚州的Almaden实验室展开,来自三家公司的20-25名工程人员将分工协作,负责进行该项目的研发工作。

    PCM技术是一种采用了特殊材料作为存储介质的存储新工艺,该工艺一改通常靠改变电相位实现存储目的,而是通过改变存储材料的内部结构达到存储目的,其潜在性能优于普通的闪存工艺,所优点包括:提供了更快的读写速度,具有反复使用功能,以及向单个存储地址写入的能力。尤其是PCM技术内在的灵活性优于目前正在应用中的其他任何非易失性存储器技术,决定了该技术具有很强的前瞻性。

    尽管当前该技术处于前期开发阶段,但其所具备的多种优势决定该工艺前景光明。

    分析人士指出,如果该技术得以完美利用,其可以在多种设备上实现应用,包括从电脑服务器到各种消费类电子产品上。(转载自计世网)

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