（2005年8月5日，纽约EAST FISHKILL讯）IBM日前宣布推出被称为8HP的第四代硅锗Foundry技术，其性能可达到上一代技术的两倍以上。
[PChome.net北京消息]（2005年8月5日，纽约EAST FISHKILL讯）IBM日前宣布推出被称为8HP的第四代硅锗Foundry技术，其性能可达到上一代技术的两倍以上。这种全新的130纳米（nm）硅锗（SiGe）双极互补金属氧化半导体（BiCMOS）Foundry技术可以降低移动消费类电子产品的成本，推动高带宽无线通信的发展，并应用在放撞汽车雷达等创新应用上。
在推出8HP的同时，IBM还推出了一种专为支持无线应用而设计的低成本版本8WL，这一版本可延长电池工作时间并增加了移动手持设备的功能，以推广无线局域网（Wi-Fi）和全球卫星定位技术（GPS）的应用。
IBM系统与科技事业部首席技术专家Bernie Meyerson表示：“硅锗技术对下一代消费类设备和应用的影响正在不断加大。IBM于1989年引入这一技术，芯片设计人员可以通过这一技术提高计算机的性能；多年以来，SiGe提供的高容量硅技术使无线行业发生了革命性的变化。第四代SiGe技术将在全球范围内更广泛地支持无线连接及应用。”
IBM是世界上最早提供SiGe BiCMOS技术的公司，自1995年以来已经向客户交付了数以亿计的SiGe器件。CMOS芯片是数字计算应用的基础，而硅锗（SiGe）BiCMOS芯片不仅提供了核心数字计算功能，而且提供了增强的无线电频率通信和模拟功能。
IBM全新的130纳米SiGe BiCMOS技术在各种产品中的应用包括：
全新的汽车安全系统，包括用于探测盲区的24GHz雷达以及用于提供碰撞警告或先进巡航控制的77GHz雷达。
60GHz Wi-Fi芯片，用于下一代无线个人区域网络（Personal-area Network）和骨干网络。
用于手机的软件无线电模块(Software Defined Radio)，可将天线接收的信号直接转换为数字形式。多种标准和各种全球移动网络可使用单一芯片来传输语音、数据和视频信号。
高速模/数和数/模转换器，用于数据获取、直接基带无线电(Direct-to-Baseband Radio)接收器、信号合成等。
Tektronix公司中央工程设计副总裁Dave Brown表示：“Tektronix近十年来一直是IBM SiGe早期存取（技术）合作伙伴，而且是最早在自己的产品中使用SiGe技术的公司。公司在世界上率获殊荣的一系列产品都采用了SiGe 5HP和7HP技术。IBM所提供的技术模型、流程和文档资料以及IBM与我们合作的员工水平都始终保持世界一流，基于此，我们的合作一直非常成功。”
在130纳米（1米的1300亿分之一）的水平上，IBM全新的SiGe BiCMOS技术与当前的180纳米SiGe技术相比提供了更高的性能、更低的能耗以及更高的集成度。 这一技术继续保持了与IBM专用集成电路（ASIC）技术平台的兼容，需要芯片代工的客户因而能够导入多种具有知识产权的电路模块和标准单元库组件。此外，130纳米的Foundry平台还包括了一种RF CMOS技术选项，这为IBM的芯片代工客户提供更广泛的选择，其中包括了RF和混合信号应用。
Sierra Monolithics公司董事会主席Charles Harper表示：“Sierra Monolithics选择了IBM的SiGe 8HP技术来支持多种要求苛刻的应用，如高度集成的超高速光纤接口模块组件、高性能数据转换器和60GHz宽带无线收发器。IBM在SiGe技术领域处于业界领先地位，我们的设计人员可以以最快速度向市场推出性能卓著的产品。我们对采用此新一代技术之后将能够实现的新性能及其应用空间感到非常兴奋。”
基于130纳米光刻技术的SiGe BiCMOS
先进的SiGe NPN三极管，发射级宽度＝120纳米，Ft＝200GHz（8HP），Ft＝100GHz（8WL）
130纳米CMOS场效应管（FET），1.5 / 2.5v
各层铜全局布线（Copper Global Wiring Levels）＋顶层厚铝金属（Thick Aluminum Top Level Metal）
全系列无源器件——电阻、变容二极管、MOS和MIM电容、高Q值电感
流程设计工具箱（Process Design Kits），提供多种精确RF器件模型
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