(2008年1月28日，北京讯) – 全球内存领导供货商奇梦达公司(NYSE: QI)今日宣布1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM内存模块 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的样品开始出货给主要客户，以布局下一代的笔记型计算机市场。奇梦达将其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化，提供了超强的省电功能，已居于业界领导地位。在移动运算中，省电是新DDR3内存接口很重要的价值体现，因它能在笔记型计算机及其它移动运算应用装置中，让电池有较长寿命且仍保持较高的性能表现。奇梦达率先于2006年6月推出DDR3内存产品，并于2007年5月开始出货给桌上型计算机客户。本产品的推出是奇梦达在DDR3产品策略上重要的进步，同时也遵守了奇梦达在产品定义上的承诺。
奇梦达计算类事业部副总裁Michael Buckermann表示：“奇梦达的1GB和2GB的DDR3 SO-DIMMs让我们的客户可以充份享受DDR3显著减少耗电量和增加频宽所带来的便利。奇梦达全力地支持客户推出下一代的行动运算应用产品，预计内建奇梦达DDR3的笔记型计算机将于2008年上半年上市。”
1GB 和2GB的SO-DIMM模块由奇梦达以75纳米工艺所生产的1Gbit DDR3零组件所组成，提供明显的省电效果，因为DDR3仅需1.5伏特的电力供给，而DDR2则是1.8伏特。根据SO-DIMM容量的不同，奇梦达的DDR3 SO-DIMMs与现今主流的DDR2模块相比，可以节省30%到50%的耗电量。
奇梦达的DDR3 SDRAM装置提供1.600 Mb/s的数据传输率，是现今DDR2内存最大传输率的两倍，并且也可以显著提升个人计算机、行动运算装置和服务器效能。
DDR3 SO-DIMMs是由奇梦达和其伙伴南亚科技所研发的DDR3 1Gbit零组件上，奇梦达和南亚科技支援新功能以提供高处理速度，例如Dynamic ODT (On Die Termination) 在每通道运作2 个DIMM模块上，以很高的数据传输速率下能增强讯号准确性；Calibrated Driver Impedance则能将DDR3 SDRAM输出驱动器阻抗最佳化。已降低的接口寄生效应，结合数据传输在线的读写操作，使得DDR3 SO-DIMMs拥有极高的传输率。
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