日前，全球移动存储领导厂商Netac朗科公司发布了其最新技术研究成果——“优芯II号”。据悉，该芯片将闪存盘的读写速度提高到了20M/S、16M/S以上，较以往USB1.1闪存盘的读写速度提高了20倍左右；它同时还支持超稳定技术与加密技术，符合U-SAFE标准，能够有效防止数据丢失，是截止目前全球最先进的闪存盘控制芯片。
此举不仅标志着全球闪存盘产业从此步入了“准高速”时代，同时也意味着朗科公司开始了新一轮的“技术圈地”运动。
USB2.0闪存盘将结束混沌状态？
据了解，目前国内大约90%的闪存盘仍然采用的是第一代USB标准，即USB1.1标准，其最大数据传输速度仅为1.2M/S、1M/S。剩下10%的闪存盘采用了最新的USB2.0标准，但读写速度却大致有两种差别，一类是6.5M/S、2.5M/S，另一类是9.5M/S、8.5M/S。造成这种现象的原因主要是USB2.0闪存盘控制芯片的开发一直处在不断进步之中。
不同产品在速度方面的显著差异以及相对较低的读写速度，不仅为消费者辨别理想中的USB2.0闪存盘带来了麻烦，也使得人们未能最大程度地享受到USB2.0高速传输的好处。
随着朗科优芯II号的批量生产，具备20M/S、16M/S以上读写能力的“准高速”闪存盘将会问世，这无疑有助于USB2.0闪存盘市场结束现有的混沌状态，为消费者购买到最新的高速闪存盘提供了方便。
优芯II号“圈地”作用将会显现？
此前的2003年7月，朗科公司曾在京发布了“优芯I号”，在业界引起强烈反响。由于优芯I号独有“超稳定技术”——通过固化在控制芯片中的数据智能备份与恢复软件，该技术对闪存盘因被非法拔插或突然掉电后有可能丢失数据、甚至损坏的防范能力比其他产品提高了至少10倍以上，朗科闪存盘很快受到了市场的热烈追捧。
据悉，相比优芯I号采用的0.35um CMOS工艺，优芯II号采用了更为先进的0.18um CMOS工艺。它无论在速度还是稳定性方面都大大超过了它的前辈。优芯II号不仅继承了超稳定技术，更在微小的体积上成功内嵌了USB1.1/USB2.0收发器、MCU、ECC、Flash接口控制器、电压调整器等，是一颗快速低功耗的，且拥有最少外围元件的闪存盘控制器，这意味着它的稳定性能相比“优芯I号”大为提高。
Netac朗科公司一直以“原创性技术品牌”而著称，该公司多年来坚持自主研发，坚持走技术品牌路线。随着优芯II号的批量生产，朗科公司的技术领先优势无疑将很快转化为市场优势，届时优芯II号的“技术圈地”作用也将浮现。
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