Samsung研制成功16GB NAND闪存

互联网 | 编辑: 2005-09-19 00:00:00编译

9月12日,三星在韩国汉城宣布成功开发出16GB的NAND闪存芯片。这款16GB的NAND闪存首次采用业界领先的50纳米制造工艺和三星的3D-transistor架构,并且具备了批量生产的能力。

9月12日

9月12日,三星在韩国汉城宣布成功开发出16GB的NAND闪存芯片。这款16GB的NAND闪存首次采用业界领先的50纳米制造工艺和三星的3D-transistor架构,并且具备了批量生产的能力。

16GB闪存的研制成功进一步加快了NAND闪存的市场扩张,同时消费电子和各种移动设备的应用也将得到加强。由于采用了50纳米制造工艺,这种16GB的闪存比去年发布的8G闪存体积更小,三星计划在2006年下半年大规模生产16GB的NAND闪存。

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