将高效稳定的南亚科技1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块带入英特尔新世代行动运算平台。
国际先进内存领导厂商之一的南亚科技股份有限公司 (“南科”) ，于2008年4月2日宣布其1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块已获得Intel® Centrino® 2行动运算平台认证。
南亚科技全球业务营销副总经理暨发言人白培霖博士表示：「南亚科技低耗电DDR3笔记型计算机专用内存能获得英特尔认证，足以证明南科DDR3优异的运算及绘图表现，已为日益成长的笔记型计算机市场提供最佳的内存解决方案。」
英特尔公司数字企业事业群产业计划与策略规划部门总监Ali Sarabi表示：「英特尔2008年即将推出的行动运算平台，将搭载新一代高宽带低耗电量DDR3内存，我很荣幸南亚科技DDR3 So-DIMM笔记型内存模块能通过英特尔的测试。」
南亚科技1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块可支持PC3-6400到PC3-8500，使用时序为7-7-7，将能有效强化英特尔Intel® Centrino® 2行动运算平台。此外，作为一专业的内存解决方案，南科DDR3的设计符合大量绘图及高传输速率的需求，因此能加快中央处理器信息传输的速度，所以每一条高效节能的南科DDR3内存模块，皆能满足专业玩家对极致效能的追求。
此次通过认证之DDR3 So-DIMMs笔记型记忆模块是以DDR3 1Gbit为基础组件，由南亚科技和其合作伙伴奇梦达共同开发。
南亚科技内存模块的每个组件皆通过严格测试，每条内存模块上的芯片皆是质量的保证。欲了解更详尽的相关信息，请至南亚科技官方网站www.nanya.com。若对英特尔下一世代Intel® Centrino 2™有兴趣，请至英特尔官方网站http://www.intel.com。
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