AMD公司开发替代闪存新技术

互联网 | 编辑: 2003-04-04 00:00:00

研究者预测一种新的技术将替代现行亿万个消费者电子设备中的可移动内存。

研究者预言,在今后几年内,所谓闪存仍然将继续被人们应用,但是在这个十年的后期,制造方面的限制将迫使业界采用新技术。本周,在旧金山召开的国际电子设备会议正在讨论有关替代的话题。

闪存可以在电池从设备中移出的情况下继续储存数据,它还可以减少电源消耗。这使得闪存成为亿万台手机、掌上电脑、数码相机和音乐播放机中必不可少的重要部件。闪存正日益应用在汽车、电视机顶盒和网络设备上。

现在的闪存技术有可能在2006前继续存在,到2006年,它将被采用65纳米处理技术的闪存制造技术替代。纳米技术与芯片中晶体管之间的距离有关。芯片制造商现在销售的是所谓130纳米级芯片,很快将转向90纳米。一纳米是一米的十亿分之一。

AMD公司处理技术开发副总裁Craig Sander说,除非取得突破,到2010年底时才会产生过渡到45纳米的替代技术。由于闪存现行结构强加的物理限制,没有人能够确定现行闪存芯片是否能达到65纳米以下的尺寸。

关于替代闪存的新技术,AMD公司正在探索量子井技术,该技术采用接近5纳米的细微铜线来储存数据。AMD公司将在旧金山召开的会议上提交这种新技术的论文。

AMD公司说,这种新技术的好处是使用一些很常见的技术来生产内存单元和纳米线。

由于量子井技术能够利用AMD公司现行的芯片制造技术,AMD公司可能用与今天闪存技术相同的成本来制造它。量子井技术还能够大大提高芯片性能并减少电力消耗。

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