Intel的P45芯片组支持DDR3和DDR2两种内存。开始的P45主板一般是DDR2和DDR3分开设计的，随着DDR3内存价位的降低，开始走入普通用户行列。主板厂商在DDR2和DDR3交替时期纷纷推出板载DDR2和DDR3插槽的主板，以便用户不必更换主板就可以升级到DDR3内存。华硕的P5QC、技嘉的EP45C-DS3R就属于这类主板，主板上设计了4DDR2+2DDR3，一共6条内存槽。微星于近日发布了板载4条DDR2和4条DDR3，一共8条内存槽的主板—DP45-8D。
这是世界上第一款设计8条内存槽的台式机主板，足以显露出微星的研发实力。8条内存槽密密排列在主板上，几乎占了主板面积的四分之一。这么多的内存槽排在一起，会不会影响内存的稳定和性能？我们一一分析和探索这片主板的奥秘。
一、如何在标准规格的ATX主板上布局8条内存槽
微星的这款DP45-8D版型采用标准的ATX，尺寸是30.5cm×24.4cm，在标准的ATX主板上如何布局8条内存槽？我们先看看主板的全貌：
安排8条内存槽，就要把775针CPU插座和北桥上移，CPU插座北西两侧是供电模块，由于散热防干扰的需要，必须给供电模块保留足够的空间。微星是如何处理的？我们看看主板供电的局部：
微星DP45-8D的供电设计采用了2项革新措施。第一项是采用高效低温和体积小的集成化的DrMOS（8X8毫米）取代分离式MOSEFT。第二项是上部的电容用高效低温且体积小的Hi-C电容取代固体电容。这2项措施缩小了供电模块的面积，为8条内存槽留出合理的位置。
二、DrMOS的效能如何
用DrMOS取代分离MOSEFT后，供电效能是否会降低供电效能？答案是供电效能会有明显提高。DrMOS是新世纪高效节能型供电元件。Intel与2004年发布PC平台的DrMOS规范，2005年就有DrMOS问世，目前已经有十几家Power芯片厂商研发生产。下图是Intel DrMOS规范规定的DrMOS信号和芯片引脚：
微星采用瑞萨科技(Renesas Technology)研发的第二代DrMOS芯片R2J20602。下图是R2J20602原理图：
RJ20602的外形图：
DrMOS除了体积小安装小（分离式MOSFET的四分之一）以外，在转换效率、热功耗、工作频率以及寄生电感等方面都优于分立式供电设计。
首先DrMOS由于把驱动IC和MOSEFT集成在一个芯片内，一体化设计，使驱动IC和MOSEFT更协调，经过设计优化，DrMOS可以工作在更高的频率。电流转换效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市场上转换效率最高的MOSEFT。
第二DrMOS的热功耗很小，发热量很低。在同等条件下，温度要比分立式低40多度。
第三DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪声低，输出电压更稳定。
第四DrMOS比普通MOSFET的瞬态响应时间短，响应CPU动态负载快，电流变化速度快。
从上面的性能对比可以看出，微星采用DrMOS代替分立式MOSEFT，即可以节省空间，便于布局8条内存槽，同时为CPU提供高稳定、品质的电流，还降低损耗节约电能。可谓一举三得。
三、Hi-C电容的效能如何
电容是CPU供电电路的重要部件之一，目前普遍采用低ESR的固态电容。微星在DP45-8D上采用了4颗Hi-C电容。
Hi-C电容与固态电容相比，哪一种更好？这要先说一说供电电容的一个重要参数—等效串联电阻（ESR）。
等效串联电阻的英文全称是Equivalent Series Resistance，缩写为ESR。理想的电容自身不会有电阻，但实际上制造电容的材料有电阻。从外部看，这个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”。
ESR的损耗与通过的电流成正比，电流越大，损耗就越大。比如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么前者的电流是I=P/U=70W/3.3V=21.2A，后者的电流是I=P/U=70W/1.8V=38.9A。后者将近是前者的两倍。在ESR相同的情况下，后者的损耗就是前者的两倍。所以降低损耗就必须用ESR更低的电容。
ESR的危害不仅仅是损耗，更重要的是“纹波电压”。没有任何波动的直流电压应该是一条水平直线，当有电压波动时，电压就变成波浪形，电压水平线上的波峰和波谷就是波纹电压。ESR值与纹波电压的关系可以用公式V=R（ESR）×I表示。公式中的V是纹波电压，R是电容的ESR，I是电流。从公式可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，纹波电压也会成倍提高，因此降低波纹电压就必须采用ESR值更低的电容。
纹波电压的危害是导致CPU工作不稳定，容易出现判断“0”和“1”失误而死机。波纹电压对CPU的影响与CPU的工作电压相关。比如0.2V的纹波电压对于3.3V的CPU而言，0.2V纹波电压所占比例较小，不足以形成很大的影响，但是对于1.8V的CPU来说，所占的比例就足以造成CPU运算失误。所以，现在的CPU供电电路都采用低ESR的电容。
普通液态电解电容的ESR在20毫欧以上，固态电容的ESR是5毫欧。Hi-C电容的ESR小于5毫欧。所以Hi-C电容优于固态电容。
Hi-C 电容的英文全称是Highly-conductive polymerized Capacitor，中文叫做高导电聚合物电容。从上图看到是塑封帖片式的，有点像钽电解电容，其实不是。这种电容的阳极是烧结钽（或铝箔），阳极介质是氧化钽（或氧化铝），而阴极（电解质）是固态的、高导电聚合物。正由于电解质是高导电聚合物，使得它尺寸小而电容量大、ESR极低的特点。
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液态电容 |
固态电容 |
Hi-C CAP电容 |
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ESR值 |
>20毫欧 |
5m毫欧 |
<5m毫欧 |
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功率损耗 |
高 |
低 |
更低 |
从上面的ESR值列表可以看出现在用于CPU供电电路最好的电容是Hi-c CAP电容。Hi-C CAP电容的第二个优点是在有浪涌电流通过时，具有自恢复的功能，因此功率损耗非常低。
所以DP45-8D采用Hi-C电容是一举两得。
四、内存识别和优化技术
P45北桥（MCH）内存控制器可以支持DDR2和DDR3两种规格的内存，DDR2和DDR3共用内存数据总线和地址总线，所以DDR2和DDR3不能同时使用。一般P45的主板都把DDR2和DDR3分开设计。DP45-8D把DDR2和DDR3整合在同一主板上，面临的技术难点有2个，一个是内存供电和信号电压识别，一个是内存信号优化抑制干扰。
1、内存供电和信号电压识别
DDR2采用SSTL_1.8信号电压， DDR3采用SSTL_1.5信号电压。主板采用一组双路MOSEFT内存供电设计，电压调节器采用的PWM芯片（uP6103）可调节电压0.7-2.5V，以保证两种内存信号电压需要。另外，还要有DDR2/DDR3内存识别电路以便确定电压调节器的输出电压。为此，微星设计了“内存识别器”。
内存识别器在硬件上就是SSTL电路。当DDR3内存槽插上内存时1.5V的SSTL电路工作，该电路会产生DDR3_DRAM_PWROK信号（高电平），使电压调节模块以1.5V为基准电压供电。北桥也通过DDR3_DRAM_PWROK信号使内存控制器按DDR3运作。如果安装的是DDR2内存，则1.5V的SSTL电路停止，DDR3_DRAM_PWROK信号是低电平，内存电压调节器和北桥内存控制器都按DDR2运作。
2、内存领跑员
为了提高内存的兼容性，DP45-8D采用一种“内存领跑员”技术，该技术可以让用户使用多种品牌型号的内存条也能成功，这项技术的核心是超越内存条自己的电压规格寻求最佳内存电压。
这项技术的核心就是在开机时BIOS检测内存的SPD信息，以及内存的输出信号，如果输出信号不正常，说明没有开机，然后逐步提升电压，直到内存可以正常启动。
这两项技术包括了对内存信号的优化，降低信噪比，使内存的数据信号更清晰。
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