在近日国际固态电路大会（ISSCC）上，东芝和SanDisk公司联合宣布将开始使用一种超高密度NAND闪存技术。
在近日国际固态电路大会（ISSCC）上，东芝和SanDisk公司联合宣布将开始使用一种超高密度NAND闪存技术。
这种技术称为SanDisk X4（4-bit-per-cell），每单元4位信息存储技术。这种技术使用特殊的内存控制器，可以在保证速度的同时整合更高密度的闪存。在单芯片上，东芝和SanDisk可以整合最大8GB闪存，且仍能保持传输速度7.8MB/s不变。
通常单个闪存卡能封装4个这样的高密度芯片，而高端闪存卡则可以在此基础上增加一倍的存储容量至64GB。X4技术的使用主要得益于SanDisk的43nm生产工艺，因为东芝公司去年秋天才完成了32GB闪存卡。
首个使用X4技术的产品应在今年上半年上市，最初的产品应该是记忆卡产品。不过东芝目前为苹果iPhone和iPod提供闪存芯片，有可能会在以后继续提供更大容量芯片。
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