内存市场的发展远不如主板、显卡等迅速，各个厂家的产品也没有太多新意可言，但是这个有些憋得让人透不过气的市场竞争也是异常激烈。各厂商的内存都要凭借着自己雄厚的实力迅速得到市场的认可,商厂如战厂,适者生存!
内存导购前言
内存市场的发展远不如主板、显卡等迅速，各个厂家的产品也没有太多新意可言，但是这个有些憋得让人透不过气的市场竞争也是异常激烈。各厂商的内存都要凭借着自己雄厚的实力迅速得到市场的认可,商厂如战厂,适者生存!
作为DDR内存新一代技术革新的产物，DDR2内存具有更高速，更大带宽，更低电耗以及更好的散热性能等特点。它是DDR SDRAM 的换代产品，在基本架构方面和DDR SDRAM类似，最大变化在于引进了4bit Prefetch（数据预取架构）来改善内存运行频率。
具体实现的方式是用两倍于DDR SDRAM内存的数据预取架构来增强存储单元并行运行能力，在提供相同传输速率的同时降低了存储单元的运行频率，和DDR400内存的200MHz存储单元运行频率相比，DDR2-533内存的存储单元仅运行在133MHz，由于存储单元的频率很难在往上提升，因此DDR400达到了大规模因应用的极限，而DDR2还可以提升存储单元频率来提高DRAM输出频率，最终改善整个内存模组能够提供的带宽。
此外DDR SDRAM还应用前置CAS和附加延迟，在一个前置CAS作业中，一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该指令CAS可以在DRAM一侧保持，并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。这样简化了控制器设计，因为它可以避免指令通道上的冲突。而且，采用一个简单的指令序列还可以提高指令和数据通道的效率。由于在读/写指令之间不存在气泡（bubble)或空隙周期，因此实际的内存带宽也得到提高。
DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计，即内建终结电阻。终端暂存器(termination register)就实现在该DRAM晶片之中，可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器，简化了主板设计，降低设计制造成本。DRAM控制器可以为每个讯号设定终端暂存器的开或关，这些讯号包括数据I/O、差分数据选通讯号和写数据屏蔽。利用ODT就不需要Vtt产生器或Rtt电阻，而且能降低多重反射，提高信号完整性并增加时序裕量。
所有的DDR2 SDRAM内存均采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列）封装，减少尺寸并提高高频作用下的信号稳定性，这种技术的一个变体是新型的sFBGA（堆迭式FBGA），它增加了各模组之间的空气流动空间因而提高了热性能和可靠性。典型的DDR2 SDRAM内存DIMM模组有240pin，仅为1.8V的工作电压远低于DDR SDRAM的2.5V/2.6V，这使DDR2有大幅低于DDR SDRAM的功耗和发热量。
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(英飞凌)Infineon DDR2-667 256MB
(英飞凌)Infineon DDR2-667 256MB
来自Infineon的两根DDR2-667内存模组，它们是单Bank规格为non-ECC unbuffered 240pin的256MB DDR2 SDRAM，PCB正面贴装有8枚内存芯片，中央位置留有ECC模组的第9枚芯片空位，保存着运行速度/时序信息的SPD芯片位于模组PCB正面中央位置。用料做工优秀，PCB颜色仍旧是清爽的翠绿。
贴于模组正面左侧的浅蓝色贴纸上注明了模组容量，运行速度/标准延迟规格。这款内存模组的产品标注部分相当详细，包括品牌、产品型号/编号、组织形式运行速度/时序；“Assembled in Germany”显示出模组是在英飞凌德国的工厂组装的，产品质量应该有最好的保证。
内存芯片编号为HYB18T256 800AF3，256Mbit规格，32Mx8组织方式，整个模组的内存位宽是标准的64bit。HYB18T256 800AF3使用FBGA封装，60pin，标称3.0纳秒！可以在DDR2-667@CL4上运行，I/O和VDD工作电压1.8V±0.1V。Infineon的DDR2 SDRAM内存芯片封装尺寸较小，接近于Micron的产品，和大尺寸的Elpdia、hynix以及Samsung内存芯片外观区别明显。
宇瞻(Apacer) DDR2-533 1G
宇瞻(Apacer) DDR2-533 1G
老牌模组厂商宇瞻（Apacer）它们是non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM内存模组，双Rank规格，PCB中央预留有配置ECC模组时的额外8bit内存芯片位置。Apacer这款内存的SPD芯片安装位置较为特别，它位于PCB正面右下角贴近金手指处，和其他DDR2模组安装SPD芯片在PCB中央的习惯有所不同。
一如既往的Apacer风格产品标签，提供基本的容量、速度/时序标注，并有每根模组数字唯一的P/N产品编号。
Apacer DDR2-533 1024MB DDR2 SDRAM模组搭载了来自Samsung的内存芯片，芯片编号为K4T51083QB-GCD5，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。
K4T51083QB-GCD5使用60-pin FBGA封装，标称速度3.8纳秒，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。三星FBGA 封装DDR2 SDRAM芯片尺寸较大。
hynix DDR2-533 512MB
hynix DDR2-533 512MB
hynix的DDR SDRAM内存芯片出货量非常大，它的DDR2 SDRAM也有了DDR2-800的型号规划了。non-ECC unbuffered 240pin 512MB DDR2 SDRAM内存模组由hynix韩国工厂生产，单Rank规格，PCB中央预留有配置ECC模组时的额外8bit内存芯片位置，模组的整体做工非常好.
带有橙色边条的产品标签正是hynix的风格，这张贴纸上注明了模组容量、速度/时序和还有模组型号及生产日期。
内存芯片编号为HY5PS12821 F-C4，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。
HY5PS12821 F-C4使用60-pin FBGA封装，标称速度3.75纳秒，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。hynix的FBGA内存芯片封装尺寸也比较大。
威刚(ADATA)Vitesta DDR2-533
威刚(ADATA)Vitesta DDR2-533
ADATA Vitesta系列又被称作“红色威龙”系列，特征是配置鲜红色金属外壳并强化超频能力。 ADATA Vitesta铝质外壳的颜色醒目。FBGA封装的DDR2 SDRAM即使在超过10%标准工作电压下都非常的低温，事实上它们并不需要额外的散热措施，增加了金属外壳的设计更多的是提升产品形象，当然它们也能给内存芯片提供一些抗物理冲击方面的保护。
产品标签上也不能带来更多的提示，这里仅有模组型号和基本的容量、速度/时序标注。
non-ECC unbuffered 240pin 512MB DDR2 SDRAM内存模组，从侧面观察可以发现它们都是双Rank配置，但安装紧密的外壳阻止了我们尝试拆卸它的动作，具体的内存颗粒状况无从知晓。虽然看不到但我们相信威刚的性能!必竟是老厂名牌了,DIYER心里一直是一个很好的形像!
KingMAX DDR2-533 512MB
KingMAX DDR2-533 512MB
胜创（KingMAX）也是在DIY玩家群中非常有影响力的内存模组品牌，他们在推广DDR2产品方面的动作非常早，在915/925 Express芯片组主板上市至少半年前，就能够看到KingMAX在国际各大电脑产品展会上展出DDR2 SDRAM内存模组了。
non-ECC unbuffered 240pin 512MB DDR2 SDRAM内存模组，单Rank规格，8片内存芯片均贴装在PCB正面，双Rank规格的PCB背面芯片预留位空焊。
除了微小的SPD芯片之外，PCB正面中央位置还有一枚醒目的红色芯片，它是KingMAX特有的产品防伪设计，BGA封装的芯片内包含了ID CODE（全球统一识别码），使得每一条内存均具有唯一性，目前还只有KingMAX一家厂商使用这种特殊方案，它和保存着模组标准信息的SPD芯片互不干扰。
产品标签内容丰富，标明了模组容量、速度和内存芯片的组织方式，还有模组型号和编号，但缺少了标准运行时序信息。KingMAX KLBC28F-A8EP4 DDR2-533 512MB模组搭载了来自Elpdia的内存芯片，芯片编号为E5108AB-5C-E，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。E5108AB-5C-E芯片使用60-pin FBGA封装，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。Elpdia的内存芯片封装尺寸和前面的Samsung芯片相仿.
超胜(LeadRAM) DDR2-533 256MB
超胜(LeadRAM) DDR2-533 256MB
超胜科技是一家集研发、制造和销售存储元器件为一体专业厂商，公司总部设于香港，以研发、制造和销售拥有自主知识产权的LeadRAM（超胜）品牌的存储元器件为主要业务范畴。超胜内存号称全系列使用韩系大厂的A级芯片制造，100%通过测试并且在整个出货的产品内返修量小于千分之一，甚至还提出“超高频后很稳定，不超频呢？更稳定！”的口号。
non-ECC unbuffered 240pin 256MB DDR2 SDRAM，DDR2-533标称速度。产品PCB两面均用表面经过处理的铝片覆盖，一方面保护内存芯片，另一方面又可以提升内存模组的外观视觉效果。
拆掉外壳观察，可以发现超胜DDR2-533白金条为单Rank规格，PCB正面贴装有8枚内存芯片，PCB颜色为清爽的绿色，做工精致。贴于模组正面左侧的贴纸显示这款内存其实就是三星电子（Samsung）原厂生产的模组，标签上注明了模组型号、容量、运行速度/标准延迟规格。
内存芯片编号为K4T56083QF-GCD5，256Mbit规格，32Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。K4T56083QF-GCD5使用60-pin FBGA封装，标称速度3.8纳秒，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。
|
品牌容量 |
模组型号 | 模组Rank数 | 内存芯片品牌型号 | 内存芯片组织方式 | DDR2-400时序 | DDR2-533时序 | DDR2-667时序 |
| 威刚ADATA Vitesta DDR2-533 512MB | M20SS2F3H414 -A1B0Z | 2 | unknown | 3-3-3-8 | 4-4-4-11 | -- | |
| 宇瞻Apacer DDR2-533 1024MB | unknown | 2 | Samsung
K4T51083QB -GCD5 |
64Mx8 | 3-3-3-8 | 4-4-4-11 | -- |
| 现代hynix DDR2-533 512MB | HYMP564U648C4 | 1 | hynix
HY5PS12821 F-C4 |
64Mx8 | 3-3-3-9 | 4-4-4-12 | -- |
| KingMAX DDR2-533 512MB | KLBC28F-A8EP4 | 1 | Elpdia
E5108AB-5C-E |
64Mx8 | 3-3-3-9 | 4-4-4-12 | -- |
| Infineon DDR2-667 256MB | 64T3200HU3A | 1 | Infineon
HYB18T256 800AF3 |
32Mx8 | 3-3-3-9 | -- | 4-4-4-15 |
| 超胜LeadRAM DDR2-533 256MB | M3 78T3253FG0-CD5 | 1 | Samsung
K4T56083QF -GCD5 |
32Mx8 | 3-3-3-8 | 4-4-4-11 | -- |
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希望能过上面的介绍能给大家选内存带来一点小小的帮助.
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