在迈入40nm时代后，GPU制造工艺在历史上第一次超过了CPU，不过由于新工艺研发成本高昂，台积电和联电的实力又相对有限，其实40nm工艺其实一直不够成熟，无法满足高性能GPU核心的需要，也直接制约了AMD、NVIDIA新款高端显卡的进度。
在迈入40nm时代后，GPU制造工艺在历史上第一次超过了CPU，不过由于新工艺研发成本高昂，台积电和联电的实力又相对有限，其实40nm工艺其实一直不够成熟，无法满足高性能GPU核心的需要，也直接制约了AMD、NVIDIA新款高端显卡的进度。
今天，联电宣布已率先开始批量出货基于高性能40nm工艺的消费集成电路，比首家投产40nm工艺的台积电领先了一步。
联电称，新工艺综合了三闸级氧化层(TGO)、12个金属层、Cu/Low-K工艺，相比上代65nm工艺可将芯片集成度提高一倍，同时功耗降低65％，而且生产周期和产品良率都已经达到实用水平，可以用来制造大尺寸的可编程逻辑芯片。
联电的高性能45/40nm工艺使用了沉浸式光刻技术，还有超浅结、迁移率增强、Ultra Low-K电介质等措施，以求实现最大程度的功耗和性能优化，客户还可以根据产品需要选择不同的电压和晶体管参数。
Xilinx公司上月底宣布，基于联电40nm工艺的Virtex-6 FPGA已开始批量出货，最多可节约75％的成本。
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