台积电28nm将在明年初量产再超越CPU

互联网 | 编辑: 周颉 2009-05-26 09:30:00转载

消息称,台积电将在7月底的2009年度设计自动化大会(DAC)上公开为28nm工艺准备的10.0版设计参考流程(Reference Flow),并在2010年第一季度如期批量投产。

消息称,台积电将在7月底的2009年度设计自动化大会(DAC)上公开为28nm工艺准备的10.0版设计参考流程(Reference Flow),并在2010年第一季度如期批量投产。

虽然有些不顺,但是台积电已经利用设计参考流程9.0版成功投产了40nm工艺,主要客户有手机厂商、FPGA芯片供应商、GPU开发商等,比如AMD日前发布的Radeon HD 4770显卡即来源于此,NVIDIA下一代核心G300也是在此工艺上流片成功的。

业界估计,40nm将在今年底为台积电贡献8-10%的收入,明年第二季度有望达到15-20%。

今年9月份宣布的28nm则将是一次全代工艺(full node),可以选择高K金属栅极(HKMG)和硅氧氮化物(SiON)材料。NVIDIA已经率先表达了对新工艺的兴趣,并希望抢先AMD成为第一家客户。

另一方面,由于Intel会在今年底转入32nm工艺,然后明年底直接进军22nm工艺,而IBM联盟的28nm工艺要到明年下半年才会试生产,这样继40nm VS 45nm之后,GPU工艺将再一次走到CPU工艺的前边。

DAC 2009将于7月26-31日在旧金山召开,台积电设计与技术平台副总裁许夫杰(Fu-Chieh Hsu)会在28日发表主题演讲,话题自然就是28nm工艺了。

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