尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM内存芯片的研发工作，今年11月份这种芯片将进入送样阶段，年底前则可实现正式批量供货。据尔必达公司表示，这种新芯片的面积更小，总体良品率 方面也比过去的50nm制程DDR3产品提升44%，而1.6Gbps数据传输率的产品良率更可达100%。
比较旧有的50nm制程产品，新40nm 2Gb DDR3内存驱动电流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的较低工作电压，同时也可以在DDR3标准的1.5V电压下工作。这样这种芯片的耗电量便可比过去下降45%左右。
尔必达同时表示，从50nm制程转换到40nm制程的成本很低，几乎相当于零，而从65nm制程技术转换至40nm所需的成本也可以控制在比较理想的范围之内。
除了积极开发更小尺寸的制程工艺技术之外，尔必达同时也在积极完善现有的旧制程技术，他们正在开发65nm XS制程技术，这种技术据称可与其它公司的50nm制程级别产品一争高下。此外尔必达公司也在开发一种可以利用65nm制程技术造出更小芯片尺寸产品的技术。
尔必达还表示，其在下属台湾合资企业中推进40nm制程的政策将采取灵活应变的思路，会根据市场需求的实际变化来做出决定。
另外，尔必达还宣称采用了新制造系统（即按产品类别区分产线，将移动产品用内存和PC内存等不同用途的产品安排在不同的产线上生产）的广岛分厂的产品良率取得了不错的提升。
尔必达表示如果未来的DRAM内存市场状况允许，他们有可能会将40nm制程产品的产出量提升到总产量的50%。
相比之下,韩国厂商三星则早在今年七月份即宣称完成了40nm制程2Gb DDR3 1600内存芯片的研发工作，这种内存芯片工作电压可低至1.35v。
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