那些鼓吹基于闪存的SSD硬盘技术的人可能要感到失望了，因为据最新的研究结果表明，如果磁盘技术按现有的速度发展下去，那么到2020年，双碟2.5寸 硬盘的容量将能达到14TB左右，价格则会降到40美元的水平（目前500GB硬盘普遍售价为100美元左右），仍然具有相当的竞争力。而尽管基于闪存的SSD硬盘产品由于在读写性能，省 电性能方面更为优秀，正在日渐流行，但其每GB折算价格却接近磁盘式硬盘的10倍，另外，闪存技术在2020年之前很可能会遇到性能发展上的瓶颈，这使基 于闪存的SSD硬盘即使在10年或更久的未来也很难取代磁盘式硬盘的地位。
在最近IEEE《磁盘技术学报》期刊中（IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 45, No. 10, October 2009.
），刊登了希捷公司前CTO Mark Kryder教授，以及卡内基梅隆大学的博士学位研究生Chang Soo Kim的一篇文章《磁盘式硬盘技术的接班人》（ “After Hard Drives - What Comes Next?” ）。文中两位研究者调查分析了13款新兴的NVM（非易失性存储）固态存储技术，分析基于其中哪种技术的产品能在2020年之前在每TB价格上能与磁盘式硬盘竞争。研究结果显示，有两项固态存储技术有望取代现有的磁盘以及闪存技术，它们分别是相变内存技术（phase change random access memory （PCRAM））以及自旋极化内存技术（spin transfer torque random access memory （STTRAM））。
相变内存技术（phase change random access memory （PCRAM））：
据文章的作者解释，PCRAM相变内存技术基于相变化材料的相变属性。对这种材料适当加热后，相变化材料的形态将在结晶和非结晶两种相上发生变化，从而衍生出不同的电阻值，这样便可以用于记录“1”“0”两种数值。这种技术的存储单元体积小，每个存储单元能存储多位数据，因此存储密度以及容量成本方面均比磁盘式硬盘优越，不过这种技术的劣势在于功耗较大。目前，Intel与Microelectronics的合资公司Numonyx已经将基于这种技术的产品推向了市场，因此在实际应用方面相变内存技术比STTRAM技术要优越许多。
自旋极化内存技术（spin transfer torque random access memory （STTRAM））。
而STTRAM技术则基于电子自旋理论，利用改变自旋偏振电流的方法改变磁场方向，以此达到记录数据的目地。STTRAM技术在省电性能方面比PCRAM相变内存技术更为优越，不过目前这种技术每个存储单元只能储存单个bit，如果能够突破这种限制的话，那么预计未来十年内很有可能成为磁盘式硬盘技术的有力竞争对手。
文中还指出：“令人惊奇的是，我们的研究表明，即便到2020年，磁盘式硬盘仍将是每TB价格最低的一种存储解决方案。另外，我们还发现业界投资最多的技术项目未必是发展潜力最大的技术，相反，这些技术公司只会在自己最擅长的技术上进行大量投资。”
文章出自希捷前CTO之手，再联想到希捷在发展闪存式SSD硬盘方面的步伐确实相当缓慢，我想现在大家应该不会为此而感到奇怪了吧。
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