特性介绍：9187主控和20nnm闪存
●Marvell 88SS9187主控
早前坊间传言Micron的新一代SSD将转投SandForce阵营，但结果显然并非如此。Crucial M500所采用的主控为88SS9187，该主控目前已被应用在了浦科特M5P和新版M5S当中，关于88SS9187的特点我们在此再做简要阐述：
Marvell 88SS9187主控
支持SATA 6Gbps Rev 3.1规范，支持Queued Trim Command，有望可以做到Trim和IO读写操作同时执行；
支持内部硬件RAID数据冗余，类似于SandForce方案中的RAISE，可以修复坏块，增强数据的可靠性；
8通道闪存控制器，每通道200MT/s带宽，每根通道硬件支持4CE，靠外部解码器和内部编码模式可以扩展到支持到最大16CE；
ECC错误校验引擎能力提高，元数据支持独立ECC；
针对映射表的需求，缓存容量最大支持到1GB DDR3，这意味着可以将映射表做的很大很细，提高实际性能表现。
●美光20nm 128Gb MLC闪存
Crucial M500采用最新IMFT 20nm MLC闪存是意料之中的，而M500也是首个采用16GB（128Gb）die的颗粒的固态硬盘。16GB die意味着仅通过4层封装就可以实现单个64GB（512Gb）的颗粒（bank），M500的960GB的版本就搭载了16个64GB（512Gb）的颗粒。相比之下目前三星840和浦科特M5P所分别采用的三星21nm颗粒和东芝19nm颗粒die的容量均只有8GB。
更大的die容量可以更容易地封装出容量更大的NAND颗粒，但是也带来了一定的负面效果。88SS9187主控内部为8通道闪存控制器，每通道支持4CE，这意味着整个SSD的CE总量要达到32才能发挥出最佳效能。
Crucial M500的120GB版本CE数量只有8个，所以我们注意到该容量的持续写入速度基本上只有240GB的一半，而且16KB Page相比8KB Page乃至4KB Page在随机读写性能上也会有降低，所以如果仔细比较你会发现M500 120GB的性能其实不如m4 128GB，后者只采用4KB Page的颗粒，而且拥有32个CE。
如果低容量的版本也要获得高性能的表现，那么只能采用美光8GB die、8KB Page的20nm闪存，这样120GB的版本可以获得16个CE，持续读写和随机读写性能会显著提升，而240GB也将达到甚至超越现有480GB的性能。只不过是否要实现就看美光的规划了。
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