北京时间12月12日消息，据国外媒体报道，IBM及其合作伙伴周一宣布，它们已经研发出一项关键材料，可以削减下一代32纳米处理器的制造成本。IBM的合作伙伴包括AMD、索尼、东芝和三星等公司。
北京时间12月12日消息，据国外媒体报道，IBM及其合作伙伴周一宣布，它们已经研发出一项关键材料，可以削减下一代32纳米处理器的制造成本。IBM的合作伙伴包括AMD、索尼、东芝和三星等公司。
IBM主管芯片研发中心的副总裁加里·帕顿(Gary Patton)表示，应用这一基于铪元素的专利材料之后，芯片厂商将可以采用与打造常规芯片同样的生产流程来设计32纳米产品。保持生产流程不变，意味着无需对工厂进行大规模调整，从而可以大幅削减成本。
英特尔不久前推出了45纳米芯片，该公司目前正在开发32纳米芯片，预计将于2009年推出，与IBM及其合作伙伴的时间表相同。不过，根据自己的需求，英特尔和IBM联盟采用了不同的方法。Envisioneering集团研究总监理查德·达赫迪(Richard Doherty)表示，英特尔自己设计和生产x86处理器，因此该公司采用的方法适合自己的系统。
与之相比，IBM联盟需要一种可以跨越不同生产系统的方法。达赫迪说：“英特尔无需过多地改变自己的设计，或者进行定制设计。而对于IBM所采用的方法而言，可定制是一个最大的特点。”两大阵营开发的芯片都将用于消费电子产品和PC，而IBM还有可能将其新技术应用于下一代Power芯片，主要面向高端服务器。IBM开发的新技术还适用于更多特殊用途，例如高速数据交换和数据中心互连等等。
IBM开发的新技术可以有效地解决围绕晶体管的一个难题。为了打造更高性能的芯片，芯片厂商一直在努力缩小晶体管的体积，以在单一硅片上安放更多晶体管。例如，一个英特尔32纳米芯片上将包含20亿个晶体管，而一个英特尔45纳米芯片也包括2亿个晶体管。但是，随着晶体管的体积不断缩小，电泄漏也更加严重，导致处理器发热和功耗过大的问题日益突出。从某种程度上讲，电泄漏已经成为阻碍处理器性能进一步提升的瓶颈。
为了解决这一问题，芯片厂商开始在晶体管中采用高电介质金属栅极技术来代替多晶硅。IBM及其合作伙伴此次开发的新材料可以经受生产过程中的高温，这在芯片生产流程中非常重要。在此之前，为了避免基于铪元素的材料过热，芯片厂商只能将其最后加入，而传统的多晶硅材料通常最先加入。这一生产流程的变化增加了芯片厂商的生产成本。
尽管开发出了新材料，IBM及其合作伙伴仍然预计首款32纳米芯片要到2009年下半年才能面世。帕顿表示：“尽管还有一些问题没有解决，但主体工作已经完成。我们的合作伙伴有信心按期完成自己的工作。”
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