将近4年前，XP横空出世之时，相信不少人体验之后便大呼升级。确实，每一次操作系统，或者说就是Microsoft Windows视窗操作系统的版本升级，随之而来的便是硬件升级。这一两年来的个人电脑市场，因为整体架构非常稳定而性能足够，同时人们对PC的认知更为客观，购买心理更为成
创见2G DDR2海量内存，三星最高规格颗粒
这次Transcend创见送测的内存产品属于其标准系列，规格为DDR2 200Pin SO-DIMM DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory。实际上定位的便是主流市场，与Kingston的Value相同，但其品质与稳定性不可同日而语，而价格自然也“更胜一筹”。该内存采用了三星原厂颗粒，采用双内嵌式颗粒封装，即将两个内存模块封装在同一个颗粒中，从表面看为一个整体。我们可以从图中发现，该内存颗粒较大，体积略相当于当初DDR所采用的TSOP封装产品。为保证封装严密性，每颗颗粒四周均以黑色胶状物封固。也保证了其较强的电气性能和抗电磁干扰能力。
2GB海量的Transcend SO-DIMM内存
与Hynix 1G DDR2-533 SO-DIMM内存颗粒对比
该内存比普通DDR2在重量上也大了许多。四周均采用高品质电阻作为辅料，由此也可见其用料之扎实。其三星内存模块编号为M470T5669AZO，规格为256M*64bit，DDR2-533，采用FBGA封装模式（底部68 Ball），频率为DDR2-533（266MHz@CL=4，tRCD=4，tRP=4）。两个模块封装在同一模块中，其采用同步设计，使得其可精确地达到与系统频率相同运行速度。其颗粒编号为K4T2G074QA-ZCD5，分别对应不同信息：
| K | SAMSUNG Memory |
| 4 | DRAM |
| T | DDR2 SDRAM |
| 2G | 2Gb |
| 07 | *8 Stack |
| 4 | 8 Banks |
| Q | SSTL-1.8V |
| A | 2nd Gen |
| Z | FBGA |
| C | 0°C-85°C&Normal Power |
| D5 | DDR2-533 |
三星颗粒命名详细规格表
三星最高端200pin DDR2-533内存颗粒
或许对于内存条厂商来说，似乎并不存在太多制作工艺问题，而具有一定DDR研发和生产能力的厂商，一般都具有升级至DDR2生产的能力。但实际上，内存做工的好坏却直接影响到整个系统的问题。诚然，在如今普通家庭/中小型商务应用中，对内存要求并不高。但创见定位便是中高端，虽然该内存为其Standard系列，但依然做工优良。但从排列整齐颗粒，周围黑胶封闭，电阻用料且豪无空焊便可见一斑。
颗粒四周均有黑色胶状物密封
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