为高性能计算机、存储网络和网络应用所设计，新的存储模组为Broadcom的四核64比特存储器而优化设计。
FREMONT, Calif., 2006年6月6日 —SMART模组科技(NASDAQ: SMOD)是一个存储产品、嵌入式计算器和TFT液晶显示器等设计领域中的领军企业，近日发布了新的双通道DDR2
DIMM和Mini-DIMM。该产品针对的是数据网络和通讯市场，存储市场，3G无线通信基建，高密度计算机应用等。这两种新的DDR2产品可能被配制成32比特宽通道7比特容错编码。
这两条生产线都为Broadcom的四核64比特存储器而优化设计。每个1GB的模组都有两个512MB的通道，每个通道都配置成128Mx39并支持与BCM1480中的四个SB-1高性能处理器同步操作。
将新的SMART模组与Broadcom®
存储器结合能为企业级路由器和转换器能提高聚集系统、高端RAID系统阵列、存储网络、以及高密度计算应用的性能。双通道模组能在运行时将工作量分配到四核存储器的各核，实现资源共享。该功能得以实现主要是倚赖于存储器中，输入/输出(I/O)的高速接口和宽带通道。四个核都同时连通到系统资源的共享池，包括存储器和输入/输出口。在BCM1480界面上的存储控制器用ZB总线以100G比特/秒的速度支持DDR2-800，而且能配制成4条32比特的通道。
Broadcom宽带存储器生产线资深总监Barton Sano说：“SMART设计为Broadcom BCM1480所优化的双通道DDR2存储器，也是对四核SoC在嵌入式计算器存储器性能、集成、可扩容性和设计灵活度的一种革命。SMART与Boradcom之间的合作促使了技术革新，并为OEM厂商提供了更多的内存产品解决方案。”
我们支持多达8种Broadcom芯片（或者32 SB-1 CPU核）的能执行内存共享或者连贯性内存共享的应用，每一种都使用分立的SMART存储器通道，通过HyperTransport相互连通，效果相当于四个核处于同一个芯片。该性能使高密度计算或存储器能在同一系统中可扩容地工作。
SMART高新模组解决方案组高级总监Alan Gulachenski说：“我们致力于为Broadcom这样的行业领先技术的倡导者合作，提高性能，存储技术以及更多的新的功能。”
为了能达到最大的灵活性，SMART提供的双通道模组有两种尺寸。一种是VLP（非常小尺寸，仅0.72”），240管脚无空隙ECC DIMM。另一种是244管脚Mini-DIMM，高度为1.45”，使用1Gb的颗粒能支持的最大密度是2GB。这两种模组都能与竖直、夹角或者水平连接器匹配使用。
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