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上周末，Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。
位于雪山脚下的IMFT工厂
工厂结构，制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层，加压吊顶形成由上向下的气流，设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。
进入无尘室之前的“打包”过程。（由于无尘室内部的严格要求，实际上以下内部照片均来自IMFT官方）
晶圆厂内走廊，顶端的自动运输系统（AMHS）正在以每小时13公里的速度将晶圆在各个制造环节间运输，24小时不停歇。每个运载器都搭载了一个FOUP（前端开口片盒），其中可装载最多25片300mm晶圆。
厂内地面全部打孔，保证空气从上向下流通，将落尘可能减到最小。
FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上，后面的那个正在被AMHS吊起。
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