三星催行业变革多芯片PRAM高调亮相

互联网 | 编辑: 李涛 2010-04-30 06:00:00编译

无标题 14

三星电子近日自豪的宣布，第一款512MB多芯片相变存储（multi-chip PRAM）将要在这个季度末发布。

PRAM是NOR闪存的成功升级，它将采用了新的原料来生产，包括锑和钛，这将三倍的提高传输速度。

“移动存储用户的增加对移动存储产品要求越来越高。”三星电子的存储部门执行经理Dong sooJun讲。“PRAM的发布将代替原来40nm制程的MCP，它将不只使用在手机上，还可能使用在内存上”

三星在09年饿9月九开始生产PRAM闪存，它采用了60nm制程。

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