845DC PRO:采用3D V-NAND的DC SSD
去年8月,三星在闪存峰会上推出了首款采用3D V-NAND闪存的SSD,主要面向数据中心市场。而今年,随着消费级旗舰产品850 PRO的发布,针对数据中心领域的产品也进行了更新,这就是845DC PRO。三星上月发布的845DC EVO是针对读取密集型应用环境,采用的是19nm TLC闪存,而845DC PRO则是针对写入密集型应用环境,采用的是24层3D V-NAND闪存。
近两年SSD在数据中心的应用成为了热门话题,并且已经成为了这个市场的一个全新分支,DC(DataCenter)也成为了这些产品的标准后缀。比如,英特尔的DC S3700系列,美光的M500DC系列,以及现在的三星845DC系列。
三星845DC PRO系列
三星845DC PRO系列设计用于写入密集型应用,比如在线交易等环境,需要持续的高IO和低延迟指标。因此,三星845DC PRO拥有超高的耐久性指标,400GB提供7.3PB的TBW,800GB拥有高达14.6PB的TBW,相当于5年内每天写10次全盘的寿命。
根据编号,三星845DC PRO采用的其实是和840 PRO一样的MDX主控,均为S4LN021X01-8030,它采用三核心Cortex-R4设计,拥有300MHz主频。支持LPDDR2缓存,最大为1GB。
三星3D V-NAND
闪存方面,三星845DC PRO采用的是三星第一代3D V-NAND技术,单层容量为128Gb,最高可实现24层堆叠。具体到这款SSD来看,它配置了8个闪存编号为K9PKGY8S7M-CCK0的颗粒,构成1TB的物理容量,预留空间比例达到了28%。单个颗粒为128GB,仅用了8层堆叠。
三星845DC PRO 800GB标签
性能指标方面,845DC PRO拥有最高530MB/s和460MB/s的持续读写速度,最高92K IOPS的随机读取性能,稳定态下提供最高51K IOPS的随机写入性能。延迟方面,随机4K读取为110us,随机4K写入为50us。
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