爱达荷州博伊西市与 加利福尼亚州圣克拉拉市 ， 2006 年 7 月 25 日 —— 美光科技 公司 （ Micron Technology. Inc. ） 与英特尔公司今天宣布试制成功了业内首个基于行业领先的 50 纳米 （ nm ） 制程技术的 NAND 闪存 ， 这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通
爱达荷州博伊西市与 加利福尼亚州圣克拉拉市 ， 2006 年 7 月 25 日 —— 美光科技 公司 （ Micron Technology. Inc. ） 与英特尔公司今天宣布试制成功了业内首个基于行业领先的 50 纳米 （ nm ） 制程技术的 NAND 闪存 ， 这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通过 IM 闪存技术公司（ IM Flash Technologies ）制造，该公司为 美光科技公司 与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制 4 Gb 设备，计划 2007 年开始大规模生产多种容量密度的 50 纳米产品。
英特尔公司与 美光科技公司 将通过向 50 纳米制程技术转移来 满足对更高密度 NAND 闪存日益增长的需求，该产品可广泛用于计算和消费电子应用，如数字音乐播放器、移动存储及手持通信设备等。据行业调研预测， 2006 年 NAND 细分市场估计在 130 亿至 160 亿美元， 2010 年可增长到大约 250 亿至 300 亿美元。
美光科技公司负责存储器业务的副总裁 Brian Shirley 表示，“美光科技公司于 2004 年涉足 NAND 业务 ， 当时采用的是 90 纳米制程技术 。在短短几年中，通过与英特尔公司的合作，我们现在随时准备推出基于尖端制程技术的领先产品。美光科技公司将继续致力于 NAND 业务 ，迅速向 50 纳米制程技术过渡，不断开发更先进的工艺节点，从而推出更高密度的产品。”
英特尔公司副总裁兼闪存产品事业部总经理 Brian Harrison 说，“我们从开展 NAND 闪存业务起就一直保持着迅猛的发展势头。今年第一季度我们开始向客户发运产品，并且我们注意到在多种闪存密度上都有着很高的需求。通过与 美光科技公司 合作，我们随时准备向 50 纳米制程技术及今后更先进的制程技术过渡。”
今年 1 月，美光科技公司与英特尔公司共同创办了 IM 闪存技术公司（ IMFT ），为双方制造 NAND 闪存产品。自公司创办以来， IMFT 已大规模加强生产设备 。美光科技公司目前通过它在博伊西的制造工厂为 IMFT 供应 NAND 闪存，而且美光科技公司位于弗吉尼亚州马纳萨斯的 300 毫米工厂将在今年晚些时候投入生产，届时将为 IMFT 供应 NAND 。此外，归 IMFT 公司使用并作为其总部的犹他州 Lehi 工厂预计将于明年年初上线生产 NAND 。
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