相变内存
大多数人了解相变内存是从三星宣布将在今年推出这类产品来取代当前的手机等电子产品所使用的闪存技术时开始的。相变内存的英文全称为“Phase-Change Memory”，简称“PCM”，这是被广为看好的下一代闪存技术，相变内存结合了DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性，因此被业界普遍视为未来闪存和内存类产品的替代者。
相变内存由相变材料制成，通过加热材料形式来存储数据。与闪存存储相比，相变内存存储数据时更加省电，预计可延长电池续航时间20%。在速度方面，相变内存的优势更加明显，其存取数据的速度比闪存快9倍。
根据三星的介绍，其生产相变内存模块预计于今年晚些时候就会下线，最初的容量为 512MB。另外由IBM等公司合作研发的一种新型相变内存技术，在存储密度、速度和功耗等方面取得了跳跃式进展，在未来有望对闪存或磁硬盘技术带来挑战，尤其是将先在音乐播放器、数码相机等便携式设备中取代当前流行的闪存，并终有一天取代硬盘。