10月以来DRAM价格因市场需求未见增温而下跌，但NAND规格闪存却因缺货价格飙涨，包括三星、Hynix、美光、英飞凌等DRAM大厂，均提高闪存产能。此一动作也削减了DRAM产能，今年全球DRAM位年成长率（bit growth）只会达41％，远低于过去七年平均60％以上的成长率。
DRAM厂历经三年空头行情，全球除了三星之外，其余DRAM业者在这三年来都是巨幅亏损，庞大的财务压力让DRAM厂无力兴建新厂，只能依靠制程微缩增加产出。不过下半年市场景气复苏，DRAM价格回涨至4.5美元至5美元之间，DRAM厂向资金市场筹资容易，十二吋厂新产能也陆续在十月开出，因此包括全球半导体贸易统计组织（WSTS）、迪讯（Gartner Dataquest）等市场调查机构，以及英飞凌等DRAM厂商，预估今年全球DRAM位年成长率仍会达55％以上。
但是下半年至今，虽然DRAM市场景气复苏，但价格未见涨飙行情，反倒是NAND闪存因供给有限、需求快速成长，缺货情况愈趋严重，价格一路飙涨，全球最大DRAM与NAND闪存大厂三星电子，便大幅转拨DRAM产能去生产闪存。
NAND规格闪存需求成长速度超过市场想象，市场供给量不足造成价格大涨，制程可以互换的DRAM厂已经开始转拨产能，投入NAND闪存市场，其中三星近期又转换DRAM产能与新开出的十二吋厂产能，去生产价格持续上涨的闪存，这导致三星今年DRAM位产出年成长率仅30％。在预期Hynix、英飞凌等业者也将减少DRAM产出、增加NAND闪存产出的情况下，今年全球DRAM位年成长率将只有41％，低于市场55％以上预期，也远低于过去七年平均60％以上的成长率。
今年DRAM位成长率下降，加上需求成长强度不足，预估今年全球DRAM总出货量约达32亿5000万颗256Mb约当颗粒，若以平均价格为5.15美元计算，今年全球DRAM总市场规模仅达167亿美元，较去年小幅成长8.3％。而明年DRAM市场规模虽预估有明显成长，但来自于DRAM总产出增加，其中以今年筹得新资金所兴建的十二吋DRAM厂为主，而台湾DRAM厂则将是重要的供给增加来源。
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