可达500MB/s SandForce第2代主控解析

互联网 | 编辑: 孙伟 2010-10-09 06:00:00编译 一键看全文

支持ONFI2和Toggle闪存使性能翻番

SF-2000系列控制芯片和NAND闪存制造商没有太大关系,同时支持ONFI 2和Toggle接口的闪存。同时NAND闪存都采用了很直接的写入管理方式,当有数据写入,WE(Write Enable)信号处于高电平则可以进行写入操作。

而ONFI 2和Toggle NAND还增加了DQS信号,当DQS处于高电平时并不进行数据传输操作,而是在DQS上升沿和下降沿时分别进行一次ONFI2和Toggle NAND闪存的数据传输。着看起来是不是有点像DDR内存的原理?没错因为它就是这样的。

这样做的好处非常明显,因为目前NAND闪存的接口速率只有40MB/s,而ONFI 2和Toggle NAND闪存则可以增加到166MB/s。

镁光科技表示,当前的双路NAND阵列可以具备330MB/s的读取速度以及33MB/s的写入速度,并兼容ONFI 2和Toggle NAND闪存,这意味着SandForce可以极大地提升应用性能。

此外,SF-2000控制芯片可以同时驱动的并行的闪存数量达SF-1200/1500的两倍之多。我们可以在相关评测中见到相关的性能测试,一定会有很大幅度的提升。

当前SF-2000系列固态硬盘主要采用镁光的34nm eMLC(企业级MLC)和东芝32nm eMLC闪存,同时该控制芯片也支持25nm NAND闪存。和英特尔一样,SandForce也将采用eMLC闪存来取代SLC闪存去面向企业级市场。显然,eMLC和MLC在未来将成为主力,分别面向企业级和消费级应用领域。

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