三星电子今天宣布了采用Wide I/O接口的新型移动DRAM内存芯片，可为智能手机、平板机带来数倍于当前的带宽，功耗则大为降低。
三星电子今天宣布了采用Wide I/O接口的新型移动DRAM内存芯片，可为智能手机、平板机带来数倍于当前的带宽，功耗则大为降低。
据三星解释，这种新的移动DRAM内存芯片基于50nm级别工艺制造，容量1Gb，每秒可传输12.8GB的数据，而现在普遍使用的移动型DDR DRAM的带宽只有1.6GB/s，也就是说三星将其翻了三番，与此同时功耗却降低了大约87％。
另外LPDDR2 DRAM的带宽也只有大约3.2GB/s，仅相当于三星新技术的四分之一。
为了提高数据传输率，三星的Wide I/O DRAM在数据输入与输出上使用了多达512个针脚，而上代产品最多只有32个。如果再算上负责发送命令和调整供电的针脚，单个三星Wide I/O DRAM就需要大约1200个针脚。
接下来，三星计划在2013年完成20nm级别工艺的4Gb Wide I/O DRAM，实现工艺跨越两代、容量翻两番，但是没有透露带宽会提升多少。
市调机构iSuppli的数据显示，移动型DRAM在整体DRAM全球出货量中的比例2010年约为11.1％，2014年将增至16.5％，显示了智能手机、平板机等移动产品的光明前景。
编辑观点：很多业内人士都同样认为，移动DRAM市场将大有前景，相较桌面级DRAM的底薄的利润和激励的竞争，加之智能机和平板电脑的进一步推广，显然2011年将是移动型DRAM市场爆发的一年。
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