技术传递主力军 各大硬件的当红参数

互联网 | 编辑: 吴俊杰 2011-02-25 00:00:00原创 返回原文

那些你常听见的当红参数

参数的改变,意味着技术的提升,处理器制作工艺日趋精良,核心越来越多,以及GPU核心图形处理能力不断增强等等,都给硬件的世界增加了无限的魅力。

2011年,各大硬件的新品纷纷问世,同样带来了更加炫目的参数列表,具体的各个参数代表了什么,并不是每个人都十分了解的,今天我们就一起走进当红的硬件参数,来了解下各个参数。

下一代CPU制程——22nm

Ivy Bridge处理器采用了全新的22nm工艺生产,这意味着更低的发热量和更小的功耗,同时在超频方面还有具有更大潜力,不过具体的型号也只有等到下半年才能够有更加详细的资料。

相比Sandy Bridge最大区别是处理器接口,Ivy Bridge处理器采用LGA1155接口,现有LGA1155处理器接口在一定程度上拥有兼容性。现在的部分6系列主板通过升级BIOS能够支持最新的Ivy Bridge处理器,这对平稳升级来说是一件好事。

Ivy Bridge处理器受到很多消费者期待,单是相比Sandy Bridge处理器20%的性能提升足以让人兴奋了。而且众多技术方面的改革,也让这款处理器能够完全取代Sandy Bridge在现在市场上的位置。

当红游戏API——DX11

随着新一代操作系统Windows 7的发布,也带来了最新的DirectX 11。但其实DirectX 11只是DirectX 10的大幅度加强版,而不是9.0C和10.0/10.1的彻底革新。

DX11最关键的特性有以下五点:

1. Tessellation:镶嵌式细分曲面技术(第二章做专门解析)

2. Multi-Threading:多线程处理

3. DirectCompute 11:计算着色器(第三章做专门解析)

4. ShaderModel 5.0:着色器模型5.0版

5. Texture Compression:纹理压缩

DX11的五大关键特性也有主次之分,其中Tessellation和DirectCompute 11堪称革命性的技术,前者可以大幅提升游戏画质、后者可以大大提高游戏效率。

尚未成熟却已火热——裸眼3D

目前主要的裸眼3D显示技术都是在以下这两种技术的基础上改良而成的。一是视差障壁技术,另一个为柱状透镜技术。视差障壁技术是由夏普欧洲实验室的工程师经过十年研究所得。

它的实现方法是使用一个开关液晶屏、偏振膜和高分子液晶层,利用液晶层和偏振膜制造出一系列方向为90°的垂直条纹。柱状透镜技术相比视差障壁技术最大的优点是其亮度不会受到影响。

裸眼3D技术目前主要应用于游戏机、MP5以及高端显示器的身上,华旗数码月光宝盒2010年12月上市裸眼3D MP5 PM5950 3D。

该款产品可支持2D3D模式一键切换,4.3英寸TFT显示屏,800*480分辨率高清晰显示,支持触摸操作,支持3D视频或图片播放,可自由选择3D和2D模式。光屏障式3D技术也被称为视差屏障或视差障栅技术,其原理和偏振式3D较为类似。

新的笔记本也加入了裸眼3D。与以往采用3D显示器相比,新的技术具有以下几个优点:一、观看3D影像时,用户不会产生眩晕、头疼及眼睛疲劳等副作用;二、3D显示时,屏幕的分辨率不会降低;三、可组合显示文字等二维影像和3D影像;四、对观看3D影像的视野及角度没有太大的限制,通俗点说就是可视角度够大。可以说未来裸眼3D是绝对的主流,相关产品值得期待。

这可不是CPU制程——25nm

由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司宣布,已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降,这在玩家心目中几乎是公认的事实。

OCZ率先转型之后,海盗船今天发布了自己的首批两款25nm新工艺固态硬盘

Intel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商,但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ,已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。据已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告,120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB,比之前34nm版本少了5GB。

随着半导体制程的进步,NAND闪存的可靠性会明显下降,需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求,并预留更多存储单元来用于闪存老化,部分存储单元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如,目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右,而25nm闪存则只有3000次。

美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存,但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存,人们才发现了其中的奥妙,原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。

写在最后:每一次参数的革命都意味着性能的提升,伴随着技术的进步与成熟,硬件性能提升的幅度也在逐渐放缓,让我们在期待以上参数带给用户惊喜的同时,能够顺利通过市场的检验得到迅速的普及,以便让用户体验到更加高效的应用。

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