这可不是CPU制程——25nm
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降，这在玩家心目中几乎是公认的事实。
OCZ率先转型之后，海盗船今天发布了自己的首批两款25nm新工艺固态硬盘
Intel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商，但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ，已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。据已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告，120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB，比之前34nm版本少了5GB。
随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明显下降，需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求，并预留更多存储单元来用于闪存老化，部分存储单元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如，目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右，而25nm闪存则只有3000次。
美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
写在最后：每一次参数的革命都意味着性能的提升，伴随着技术的进步与成熟，硬件性能提升的幅度也在逐渐放缓，让我们在期待以上参数带给用户惊喜的同时，能够顺利通过市场的检验得到迅速的普及，以便让用户体验到更加高效的应用。
网友评论