我们几乎无法用一个最直观的词汇来形容英特尔25纳米320系列固态硬盘，尽管它的主控没有改变，尽管依然只采用SATA 3Gbps接口，但这并不妨碍320系列能够成为高端玩家又一追求对象。虽然在面对SandForce SF-2000和Marvell 88SS9174时竞争力稍显不足，但是它却给那些真正懂得产品
320特性解析二 缓存配置与断电保护
●延续上代SSD架构
由于主控没有变，所以整个SSD的架构也没有改变，外部配备的DRAM缓存依然是用来存放映射表而不是用来存放数据的，同时在主控芯片内部还集成有256KB的SRAM高速缓存。
位于主控下方的海力士缓存芯片
320系列的DRAM缓存就位于主控芯片下方，由海力士生产的64MB 166MHz缓存。这个颗粒其实比上一代X25-M的缓存尺寸要小。此外X25-M G1和G2的SDRAM缓存默认电压均为3.3V，而320的SDRAM只有1.8V，起到了节电的作用。
●断电数据保护设计
只在DRAM缓存中存放映射表其实也是英特尔引以为傲的地方，它只作为主控的暂存器而存在。一旦突然掉电，主控只需要将存放在SRAM中的数据保存到NAND中即可，最大限度地减少了因停电而造成的数据丢失的情况。为此，英特尔为320系列配备了6个470μF并联电容。
并联的6颗钽电容，拥有不错的电器性能
对比同样不配备外置DRAM缓存的企业级的SandForce方案，它配备有一个0.09F的大容量电容。英特尔表示这样的设计是没有必要的，因为这种高速缓存的数据量很小。同时有报告指出，多电容并联可以带来更好的可靠性，就算其中一个坏掉，其他的电容还可以正常工作。
●依然只采用SATA 3Gbps接口
英特尔X25-M向来限制固态硬盘的顺序写入能力，G2时代最高的速度也不过是100MB/s左右，若不是随机性能很强，否则竞争力会严重不足。不过在全新的320系列当中，随着容量的增长，其连续写入性能最高达到了220MB/s。
采用的25纳米MLC闪存规格为8GB/Die
另一方面应该提到的是，在25nm闪存当中，页面大小从34nm时代的4KB增加为8KB，因此在相同的通道数量下，顺序读写速度也就得到了进一步的加强。
依然采用的是SATA 3Gbps接口
关于接口方面，新的产品依然采用SATA 3.0Gbps，自2009年以来就没有变过，其实考虑到这次连主控芯片都没有变化，这样的情况也就不足为奇了。尽管这可能会在一定程度上影响到顺序读写性能。
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