三星昨晚公布了全球首款DDR 2.0 64Gb(8GB) MLC NAND Flash，这款芯片产品基于20纳米制程构建，支持400Mb的带宽，比原有的NAND产品快10倍(现有的产品还是SDR NAND，带宽40Mbps，而Toggle DDR1也只有133Mbps)。
i7 三星昨晚公布了全球首款DDR 2.0 64Gb(8GB) MLC NAND Flash，这款芯片产品基于20纳米制程构建，支持400Mb的带宽，比原有的NAND产品快10倍(现有的产品还是SDR NAND，带宽40Mbps，而Toggle DDR1也只有133Mbps)。
该芯片将主要用于平板和智能手机，这种高密度和高速度产品的出现将给智能机市场的表现带来突破。
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