日本公司尔必达上周末宣布已经开发出基于25nm节点的全球最小的4Gb DDR3 DRAM颗粒。
日本公司尔必达上周末宣布已经开发出基于25nm节点的全球最小的4Gb DDR3 DRAM颗粒。
相比30nm工艺，新的芯片在运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%，同时25nm工艺也使得1块晶圆能切割出来的芯片数量相比30nm节点增加了45%。
全新的25nm 4Gb DRAM颗粒可以达成1866MHz的频率，而工作电压可以在1.35V或者1.5V，相关的样品和量产预计要等到今年年底才能够达成。
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